PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (7): 1751-1755.

PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响

魏榕山;蔡宣敬;罗文强;邓宁

福州大学物理与信息工程学院,福州,350116;清华大学微电子学研究所,北京,100084

出版日期:2016-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61404030)

Effects of PVP Doping on Learning Behaviors of PEDOT∶ PSS Memristor

WEI Rong-shan;CAI Xuan-jing;LUO Wen-qiang;DENG Ning

Online:2016-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶ PSS∶ PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP).测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数.该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中.

中图分类号:

TB34

魏榕山;蔡宣敬;罗文强;邓宁. PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(7): 1751-1755.

WEI Rong-shan;CAI Xuan-jing;LUO Wen-qiang;DENG Ning. Effects of PVP Doping on Learning Behaviors of PEDOT∶ PSS Memristor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(7): 1751-1755.

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