平栅型双层膜的场致发射性能研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (7): 1845-1848.

平栅型双层膜的场致发射性能研究

林金阳;陈知新;张国成;谢文明

福建工程学院信息学院,福州,350108

出版日期:2016-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306071);福建省自然科学基金(2015J05117);福建省教育厅项目(JA15347,JA15350)

Research on Field Emission Properties of the Planar-gate Triode with Double-layer Films

LIN Jin-yang;CHEN Zhi-xin;ZHANG Guo-cheng;XIE Wen-ming

Online:2016-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过在平栅型基板上,分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,形成阴极场发射阵列,并在阴极和栅极之间加载脉冲电流,使阴栅级之间的薄膜形成裂缝,并进行场致发射性能测试,测试结果表明,平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低.在阳压为3000 V,隔离子高度为500 μm时,平栅型双层膜场发射器件的开启电压为110 V,在栅压为110 V时的发射效率为1;左右,随着栅压的增大,发射效率逐渐减小.该双层膜阴极具有均匀的发射性能、良好的栅控能力以及场发射特性.

中图分类号:

TB332

林金阳;陈知新;张国成;谢文明. 平栅型双层膜的场致发射性能研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(7): 1845-1848.

LIN Jin-yang;CHEN Zhi-xin;ZHANG Guo-cheng;XIE Wen-ming. Research on Field Emission Properties of the Planar-gate Triode with Double-layer Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(7): 1845-1848.

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