射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (9): 2322-2325.

射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响

乌仁图雅;周炳卿;高爱明;部芯芯;丁德松

内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022

出版日期:2016-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51262022)

Effect of Radio-frequency Power on Bond Structures and Properties of Silicon-rich Silicon Nitride Thin Films

WUREN Tu-ya;ZHOU Bing-qing;GAO Ai-ming;BU Xin-xin;DING De-song

Online:2016-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH4、NH3和N2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料.利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征.实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多.分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差.

中图分类号:

O484

乌仁图雅;周炳卿;高爱明;部芯芯;丁德松. 射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(9): 2322-2325.

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