摘要: 采用溶液法制备了硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜,并将其作为空穴传输层制备了平面n-i-p型钙钛矿太阳电池.系统考察了CuSCN薄膜退火温度、旋涂转速对钙钛矿太阳电池性能的影响.研究结果表明,CuSCN薄膜在70 ℃下退火10 min可以获得较好的电池性能;在此基础上通过调整旋涂转速至2000 r/min,控制CuSCN薄膜厚度约为240 nm,电池性能获得了进一步的提升,电池效率可达11.77;.该研究结果表明,CuSCN材料是一种有潜力的、低成本高性能无机空穴传输材料.
中图分类号:
赵善真;丁毅;郭升;石标;姚鑫;侯福华;郑翠翠;张德坤;魏长春;王广才;赵颖;张晓丹. CuSCN空穴传输层工艺对钙钛矿电池性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 753-758.
ZHAO Shan-zhen;DING Yi;GUO Sheng;SHI Biao;YAO Xin;HOU Fu-hua;ZHENG Cui-cui;ZHANG De-kun;WEI Chang-chun;WANG Guang-cai;ZHAO Ying;ZHANG Xiao-dan. Fabrication of CuSCN Hole Transporting Layer and Its Influences on Perovskite Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2017, 46(5): 753-758.