人工晶体学报 ›› 2017, Vol. 46 ›› Issue (5): 814-819.
杨永勇;汪礼胜;许伟康;张勇;王嘉绮;陈凤翔
YANG Yong-yong;WANG Li-sheng;XU Wei-kang;ZHANG Yong;WANG Jia-qi;CHEN Feng-xiang
摘要: 采用AFORS-HET软件对CsGeI3空穴传输层(Hole Transport Material, HTM)平面异质结钙钛矿太阳电池进行了模拟,TiO2作为电子传输层,CH3NH3PbI3作为光吸收层,C作为背电极,分别讨论了钙钛矿光吸收层厚度、缺陷浓度,光吸收层/HTM界面态密度和HTM对太阳电池性能参数的影响.模拟优化得到CsGeI3 HTM的PSCs最佳性能参数为:Voc=1.199 V,Jsc=22.2 mA·cm-2,FF=86.22;,PCE=22.95;,效率虽略低于spiro作为HTM的器件,但考虑生产工艺和制备成本,CsGeI3作为HTM的PSCs将具有更好的应用前景.
中图分类号: