Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (1): 108-112.

Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响

蔡莉莉;冯翠菊

华北科技学院理学院,廊坊,065201

出版日期:2018-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中央高校基本科研业务费资助(3142016010)

Electronic Structure and Optical Property of Mg-doped GaN at Different Concentrations

CAI Li-li;FENG Cui-ju

Online:2018-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Mg掺杂浓度对GaN晶格参数、能带结构、电子态密度和光学性质的影响.研究表明:Mg掺杂GaN体系,晶格常数增大,禁带宽度增加,而且禁带宽度随着Mg含量的增加而增加,同时N2p和Mg2p态电子轨道的相互杂化,从而在费米能级附近引入受主能级,随着Mg含量的增加,费米能级进入价带的位置加深,同时Mg掺杂浓度越高,价带和导带带宽越窄.掺Mg后在介电函数和光学吸收谱的低能区和高能区均出现了新的介电峰,这些峰的出现和禁带中的杂质能级到导带底的跃迁有关,由于带隙的增加使介电峰向高能量方向发生偏移.

中图分类号:

O731

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