Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (1): 108-112.

Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响

蔡莉莉;冯翠菊

华北科技学院理学院,廊坊,065201

出版日期:2018-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中央高校基本科研业务费资助(3142016010)

Electronic Structure and Optical Property of Mg-doped GaN at Different Concentrations

CAI Li-li;FENG Cui-ju

Online:2018-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Mg掺杂浓度对GaN晶格参数、能带结构、电子态密度和光学性质的影响.研究表明:Mg掺杂GaN体系,晶格常数增大,禁带宽度增加,而且禁带宽度随着Mg含量的增加而增加,同时N2p和Mg2p态电子轨道的相互杂化,从而在费米能级附近引入受主能级,随着Mg含量的增加,费米能级进入价带的位置加深,同时Mg掺杂浓度越高,价带和导带带宽越窄.掺Mg后在介电函数和光学吸收谱的低能区和高能区均出现了新的介电峰,这些峰的出现和禁带中的杂质能级到导带底的跃迁有关,由于带隙的增加使介电峰向高能量方向发生偏移.

中图分类号:

O731

蔡莉莉;冯翠菊. Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(1): 108-112.

CAI Li-li;FENG Cui-ju. Electronic Structure and Optical Property of Mg-doped GaN at Different Concentrations[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(1): 108-112.

[1]	兰飞飞, 刘莎莎, 房诗舒, 王英民, 程红娟. 金刚石基GaN界面热阻控制研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 913-921.
[2]	周振翔, 陈宁, 李丹, 石爽爽, 倪代秦, 陈建荣, 黄存新, 李荣臻, 魏华阳. 物理气相传输法合成AlN单晶性能表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(12): 2196-2202.
[3]	石自彬;李和新;龙勇;丁雨憧. 大尺寸Y方向钽酸镓镧压电晶体生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1044-1047.
[4]	姜威;刘廷禹;孙颖;孙羽. LaBr3晶体本征点缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(8): 2074-2078.
[5]	徐青松;方云团;周骏. 基于旋磁材料一维光子晶体单向传输[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 1131-1137.
[6]	刘航;介万奇;徐亚东;杨睿. In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1023-1028.
[7]	孙保民;曹为华;郭永红;王阳. 火焰热解法生长定向碳纳米管[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1773-1778.
[8]	舒海生;董立强;李世丹;刘伟;林航. 布拉格型声子晶体弦的横向振动带隙研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1918-1923.
[9]	冯孝燕;王琤;赵波;徐芳华;高杰. 交变磁场中硅熔液的电磁力有限元分析[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(8): 1702-1706.
[10]	黄育红;介万奇;徐凌燕;骆娟宁. ZnS(Se,Te)的电子、弹性和光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1046-1053.
[11]	翟小林;王英龙;丁学成;邓泽超;褚立志;傅广生. 混合环境气体配比对纳米硅晶粒角度分布的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 670-674.
[12]	张小超;樊彩梅;丁永波;梁镇海;韩培德. Al-N共掺杂ZnO的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1518-1523.
[13]	应杏娟;张兴德;郝志武. 第一性原理研究氧化锌晶体的电子结构和光学性质[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(4): 784-788.
[14]	刘峰松;顾牡;张睿. 钨酸铋钠晶体电子结构的理论模拟[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 7-11.
[15]	李晓苇;刘荣鹃;江晓利;陆晓东;赖伟东;杨少鹏;傅广生. 硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 784-787.