臭氧氧化抗P ID晶硅太阳电池减反射膜分析

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (1): 189-193.

臭氧氧化抗P ID晶硅太阳电池减反射膜分析

马新尖;杨东;司志华;冯帅臣

拉萨师范高等专科学校信息技术系,拉萨,850000;扬州鑫晶光伏科技有限公司,扬州,225653

出版日期:2018-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
西藏自治区高校青年教师创新支持计划项目(QC2015-86);西藏自治区自然科学基金(XZ2017ZRG-105)

Analysis of Preventing PID Antireflection Coatings with Ozonation on Crystalline Silicon Solar Cells

MA Xin-jian;YANG Dong;SI Zhi-hua;FENG Shuai-chen

Online:2018-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过PC1D模拟和实验的方法分析了经臭氧氧化的和未经臭氧氧化具有抗PID效应的氮化硅减反射膜单晶硅太阳电池的反射率、外量子效率和电学特性.模拟结果表明,经臭氧氧化的氮化硅减反射膜的减反射效果和外量子效率优于未经臭氧氧化的氮化硅减反射膜减反射效果和外量子效率.实验测试表明,反射率测试与模拟结果一致;相比未经臭氧氧化的氮化硅减反射膜晶硅太阳电池,经臭氧氧化的氮化硅减反射膜太电池其短路电流、填充因子和转换效率分别增加了6 mA、0.03;和0.04;.

中图分类号:

TN36

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