预氧化法制备均匀硅纳米线阵列

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (10): 2022-2027.

预氧化法制备均匀硅纳米线阵列

李燕秋;渠亚洲;程其进

厦门大学能源学院太阳能研究所,厦门 361102;厦门大学深圳研究院,深圳 518000

出版日期:2018-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
深圳市基础研究项目(JCYJ20170306141238532)

Preparation of Uniform Silicon Nanowire Arrays by Pre-oxidation Method

LI Yan-qiu;QU Ya-zhou;CHENG Qi-jin

Online:2018-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理,并用改良的RCA法清洗硅片,结合金属辅助化学刻蚀(MACE)制备硅纳米线阵列(SiNWs).通过表征发现:预氧化清洗相较于传统RCA清洗,能够降低硅片表面微粗糙度,同时提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性.此外,在300～800 nm波段,当硅纳米线的长度相近时,经预氧化清洗制备的硅纳米线阵列反射率降低,当硅纳米线长度为500 nm左右时,反射率降低值大于2.4;.最后分析了均匀硅纳米线阵列的形成机理.

中图分类号:

TB34

李燕秋;渠亚洲;程其进. 预氧化法制备均匀硅纳米线阵列[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(10): 2022-2027.

LI Yan-qiu;QU Ya-zhou;CHENG Qi-jin. Preparation of Uniform Silicon Nanowire Arrays by Pre-oxidation Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(10): 2022-2027.

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