红光发射GaN:Eu材料与器件研究进展

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (10): 2064-2069.

红光发射GaN:Eu材料与器件研究进展

王晓丹;夏永禄;韩晶晶;毛红敏

苏州科技大学数理学院,江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,苏州 215009;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123

出版日期:2018-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306004,51002179);江苏省自然科学基金(BK20130263);江苏省十三五重点学科(20168765);苏州科技大学科研基金(XKZ201609)

Research Progress on Red Emitting GaN:Eu Materials and Devices

WANG Xiao-dan;XIA Yong-lu;HAN Jing-jing;MAO Hong-min

Online:2018-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其优异的电学和光学性能受到了产业界和科研界的重视.稀土离子Eu掺杂GaN材料,既具备了稀土元素优异的光学性能,又充分发挥了半导体材料的优势,可用于制备新型红光LED器件.因此,对GaN:Eu材料的制备方法,发光机理及器件研究进展进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望.

中图分类号:

TN304

王晓丹;夏永禄;韩晶晶;毛红敏. 红光发射GaN:Eu材料与器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(10): 2064-2069.

WANG Xiao-dan;XIA Yong-lu;HAN Jing-jing;MAO Hong-min. Research Progress on Red Emitting GaN:Eu Materials and Devices[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(10): 2064-2069.

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Research Progress on Red Emitting GaN:Eu Materials and Devices

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