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人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (6): 1089-1095.

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平面硅异质结太阳电池的光吸收增强的研究

任千尚;唐瑾晖;黄伟;任慧志;魏长春;王广才;许盛之;赵颖;张晓丹   

  1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300071
  • 出版日期:2018-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    科技部国际合作项目(2014DFE60170);国家自然科学基金(61474065,61674084);天津市应用基础与前沿技术研究计划(15JCZDJC31300);江苏省科技支撑项目(BE2014147-3);111引智计划(B16027)

Optical Absorption Enhancement of Planar Silicon-Heterojunction Solar Cells

REN Qian-shang;TANG Jin-hui;HUANG Wei;REN Hui-zhi;WEI Chang-chun;WANG Guang-cai;XU Sheng-zhi;ZHAO Ying;ZHANG Xiao-dan   

  • Online:2018-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 钙钛矿/硅叠层太阳电池可以充分利用太阳光谱,提高光电转换效率.平面硅异质结太阳电池可以作为叠层电池的底电池,其性能直接影响叠层电池的性能表现.采用传统反应热蒸发技术,在低温(170 ℃)条件下制备了掺锡氧化铟薄膜,并在170 ℃的氧气氛围下后退火处理,对ITO薄膜的特性进行了详细的表征和分析.结果表明:后退火工艺改善了ITO的结晶特性,使得材料的光学特性和电学特性得到明显提高,将其应用于平面硅异质结太阳电池,短路电流密度得到极大提高,尤其红外光响应改善明显.引入MgF2薄膜作为减反射层,进一步增强了电池的光响应,转换效率达到19.04;.

关键词: 掺锡氧化铟;硅异质结太阳电池;后退火;反应热蒸发;增透膜

中图分类号: