基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (6): 1197-1203.

基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究

刘晶晶;姚尧;朱月岭;戴伟;肖少庆;顾晓峰

江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122

出版日期:2018-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61404061,11704159);江苏省自然科学青年基金(BK20140168,BK20170167);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51726B)

Preparation and Passivation Study on Amorphous Silicon Thin-films Based on Soft Plasma Chemical Vapor Deposition

LIU Jing-jing;YAO Yao;ZHU Yue-ling;DAI Wei;XIAO Shao-qing;GU Xiao-feng

Online:2018-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷( SiH4)和氢气(H2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H).采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果.并通过傅里叶红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌.结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能.最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到445 μs,复合速度减小到48 cm/s,隐开路电压接近700 mV.

中图分类号:

O484

刘晶晶;姚尧;朱月岭;戴伟;肖少庆;顾晓峰. 基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(6): 1197-1203.

LIU Jing-jing;YAO Yao;ZHU Yue-ling;DAI Wei;XIAO Shao-qing;GU Xiao-feng. Preparation and Passivation Study on Amorphous Silicon Thin-films Based on Soft Plasma Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(6): 1197-1203.

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