3 C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (7): 1346-1352.

3 C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算

范梦慧;岑伟富;蔡勋明;廖杨芳;谢晶;谢泉

贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025;贵州民族大学机械电子工程学院,贵阳 550025;贵州民族大学机械电子工程学院,贵阳,550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳,550025

出版日期:2018-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61264004);贵州省科技合作计划(黔科合 LH字[2015]7218,[2017]7077);青年科技人才成长基金项目(黔教合KY字 [2016]166);贵州省教育厅创新群体重大研究项目(黔教合KY字[2016]028, [2016]030)

First-principles Calculation on the Surface Electronic Structures and Optical Properties of 3C-SiC

FAN Meng-hui;CEN Wei-fu;CAI Xun-ming;LIAO Yang-fang;XIE Jing;XIE Quan

Online:2018-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用第一性原理对3C-SiC块体和3C-SiC(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明:3C-SiC块体是带隙为1.44 eV的G-M间接带隙半导体,3C-SiC(111)表面是带隙为2.05 eV的M-G间接带隙半导体,3C-SiC(110)表面形成带隙值为0.87 eV的直接带隙半导体;3C-SiC(100)表面转变为导体.由光学性质分析得到,与3C-SiC块体比较,3C-SiC(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移.

中图分类号:

TN383+.1

范梦慧;岑伟富;蔡勋明;廖杨芳;谢晶;谢泉. 3 C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(7): 1346-1352.

FAN Meng-hui;CEN Wei-fu;CAI Xun-ming;LIAO Yang-fang;XIE Jing;XIE Quan. First-principles Calculation on the Surface Electronic Structures and Optical Properties of 3C-SiC[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2018, 47(7): 1346-1352.

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