基于温和氧等离子体实现硫化钼P型掺杂的研究

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (9): 1778-1783.

基于温和氧等离子体实现硫化钼P型掺杂的研究

刘明雪;冯少朋;肖少庆;南海燕;张秀梅;顾晓峰

江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122

出版日期:2018-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61404061,11704159);江苏省自然科学青年基金(BK20140168,BK20170167);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51726B)

Investigation on P-type Doping of MoS2 via Soft Oxygen Plasma

LIU Ming-xue;FENG Shao-peng;XIAO Shao-qing;NAN Hai-yan;ZHANG Xiu-mei;GU Xiao-feng

Online:2018-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用一种处于电容放电模式(E-mode)的温和氧气电容耦合等离子体技术对薄层MoS2进行处理,实现了P型掺杂.通过光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱和场效应晶体管的转移曲线测试,对MoS2的掺杂机理进行了分析,发现温和氧气等离子体处理过程中氧和钼能形成Mo-O键,从而提供额外的空穴使其电子浓度下降,最终导致其开启电压变高、输出电流下降,同时氧气的化学吸附诱导在MoS2层中引入了P型掺杂.此研究为实现MoS2的P型掺杂提供了新途径.

中图分类号:

TN304

刘明雪;冯少朋;肖少庆;南海燕;张秀梅;顾晓峰. 基于温和氧等离子体实现硫化钼P型掺杂的研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(9): 1778-1783.

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