大范围ReS2纳米带的化学气相沉积制备及特性表征

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (9): 1899-1903.

大范围ReS2纳米带的化学气相沉积制备及特性表征

张秀梅;肖少庆;史丽弘;康培培;南海燕;顾晓峰

江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122;江南大学理学院,光电信息科学与工程系,无锡 214122;江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122;江南大学理学院,光电信息科学与工程系,无锡 214122

出版日期:2018-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61404061,11704159);江苏省自然科学青年基金(BK20130115,BK20140168,BK20170167)

Chemical Vapor Deposition Sythesis and Characterization of Large Area ReS2 Nanoribbons

ZHANG Xiu-mei;XIAO Shao-qing;SHI Li-hong;KANG Pei-pei;NAN Hai-yan;GU Xiao-feng

Online:2018-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用化学气相沉积方法,在整个SiO2(300 nm)/Si衬底上制备出了大面积、高质量的单层及多层ReS2纳米带,纳米带的长度可达150μm.利用光镜、原子力显微镜(AFM)、荧光(PL),拉曼(Raman)以及X射线光电子能谱分析(XPS)等手段对所得不同层数的ReS2样品进行了表征.结果表明:所制备的ReS2纳米带的拉曼信号与化学气相沉积方法制备的(CVD)单层及多层的薄膜材料差别不大,而其荧光峰出现了明显的展宽,且峰位出现了明显的蓝移.化学气相沉积法(CVD)制备ReS2纳米带操作简单,可控性与可重复性高,对其基础研究和未来潜在应用有着比较重要的现实意义.

中图分类号:

O782

张秀梅;肖少庆;史丽弘;康培培;南海燕;顾晓峰. 大范围ReS2纳米带的化学气相沉积制备及特性表征[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(9): 1899-1903.

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