热处理温度对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (11): 2119-2122.

热处理温度对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响

郭会师;李文凤;高振禄;马丽君;桂阳海

郑州轻工业大学材料与化学工程学院,郑州,450001;河南工业大学材料科学与工程学院,郑州,450001

出版日期:2019-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金青年基金(51802290);河南省重点科技攻关项目(182102210613,172102210223);郑州轻工业大学博士科研基金(2017BSJJ041);郑州轻工业大学星空众创空间孵化项目(2018ZCKJ402)

Effects of Heat Treatment Temperatures on Morphology and Luminescence Properties of SiC Nanomaterials

GUO Hui-shi;LI Wen-feng;GAO Zhen-lu;MA Li-jun;GUI Yang-hai

Online:2019-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用碳热还原法,以单质Si粉和活性炭为原料,Fe2 O3为添加剂,研究了还原气氛下热处理温度(1200～1700℃)对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响.结果表明:不同热处理温度下,单质Si粉和活性炭均可反应生成SiC纳米材料,但当热处理温度为1200℃和1300℃时,二者反应不完全;当热处理温度由1400℃增至1700℃时,单质Si粉和活性炭的反应增强,并在1600℃热处理后完全转化为SiC,其形貌由棒状和颗粒状的混合体转化为单一的短棒状,进而又发育为纤维状.此外,不同热处理温度下获得的SiC纳米材料均具有较宽的发射带宽,经1600℃热处理后SiC纳米材料的发光性能较优,其发光峰强度优于其它热处理温度下的产物,这是因为此温度下所获SiC纳米材料呈纤维状,其长径比较高,有利于发光性能的改善所致.

中图分类号:

TQ342+.82

郭会师;李文凤;高振禄;马丽君;桂阳海. 热处理温度对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(11): 2119-2122.

GUO Hui-shi;LI Wen-feng;GAO Zhen-lu;MA Li-jun;GUI Yang-hai. Effects of Heat Treatment Temperatures on Morphology and Luminescence Properties of SiC Nanomaterials[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(11): 2119-2122.