相变存储材料及其相变机制研究进展

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (11): 2152-2157.

相变存储材料及其相变机制研究进展

郝艳;周细应;杜玲玲;李晓

上海工程技术大学材料工程学院,上海,201600

出版日期:2019-11-15 发布日期:2021-01-20

Research Progress on Phase Change Memory Materials and Phase Change Mechanism

HAO Yan;ZHOU Xi-ying;DU Ling-ling;LI Xiao

Online:2019-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 介绍了相变存储材料的工作原理与其工作性能之间的对应关系,相变存储材料的开发与材料性能要求密不可分,在分析当前主流相变存储材料Ge2 Sb2 Te5的优点与不足的基础上,指出无Te富Sb为未来相变存储材料体系的研究方向.控制相变行为是实现相变存储技术商业化的关键,材料的微观结构和相变机制决定了相变存储材料的相变行为,而计算材料学是研究相变存储材料微观结构与相变机制之间联系的必要手段.运用第一性原理动态模拟相变存储材料的相变过程,可以弥补静态结构分析的不足,推动对快速可逆相变机理动态过程的理解运用,同时为进一步研究相变存储材料提供借鉴.

中图分类号:

TP333

郝艳;周细应;杜玲玲;李晓. 相变存储材料及其相变机制研究进展[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(11): 2152-2157.

HAO Yan;ZHOU Xi-ying;DU Ling-ling;LI Xiao. Research Progress on Phase Change Memory Materials and Phase Change Mechanism[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(11): 2152-2157.