人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (12): 2186-2193.
熊芬;姜思宇;吴隽;耿仁杰;郭才胜;祝柏林;姚亚刚;刘静
出版日期:
2019-12-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
XIONG Fen;JIANG Si-yu;WU Jun;GENG Ren-jie;GUO Cai-sheng;ZHU Bai-lin;YAO Ya-gang;LIU Jing
Online:
2019-12-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用射频(RF)磁控溅射在室温下连续逐层沉积,然后在95;Ar+5;H2混合气氛中进行500 ℃低温退火制备了Ag/MoS2和Ag/BN/MoS2纳米薄膜,采用拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对其结构、组成和表面形貌进行了研究.结果表明:所制备的纳米膜均匀连续,界面紧密巨清洁.95;Ar+5;H2混合气氛中退火能强烈影响顶部MoS2层的形貌并有效去除MoS2中的杂质氧改善其结晶性、稳定性和结构完整性;顶部MoS2层在沉积态时呈细小颗粒状,退火后呈片层状和颗粒状混合形态,特别是引入BN 层后促进了其向更大更薄的片状转变,巨MoS2薄膜由块状变成类层状结构.另外,电性能表征显示Ag/MoS2具有良好的欧姆接触巨电阻率低,引入BN层使得Ag与BN以及BN与MoS2的界面处产生肖特基势垒从而使Ag/BN/MoS2具有整流特性.
中图分类号:
熊芬;姜思宇;吴隽;耿仁杰;郭才胜;祝柏林;姚亚刚;刘静. 95;Ar+5;H2气氛退火对Ag/MoS2和Ag/BN/MoS2薄膜形貌和结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2186-2193.
XIONG Fen;JIANG Si-yu;WU Jun;GENG Ren-jie;GUO Cai-sheng;ZHU Bai-lin;YAO Ya-gang;LIU Jing. Effect of Annealing in 95;Ar+5;H2 on the Morphology and Structure of Ag/MoS2 and Ag/BN/MoS2 Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2019, 48(12): 2186-2193.
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