Ag/Yb0.35Co4Sb12热电复合材料的制备及热电性能研究

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (2): 196-200.

Ag/Yb0.35Co4Sb12热电复合材料的制备及热电性能研究

周振兴;陈鹏;范胜杰;陆晓芳;顾士甲;王连军

东华大学材料科学与工程学院,纤维材料改性国家重点实验室,上海 201620;东华大学,先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海 201620;东华大学功能材料研究所,上海 201620;东华大学材料科学与工程学院,纤维材料改性国家重点实验室,上海 201620;东华大学,先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海 201620

出版日期:2019-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51374078)

Preparation and Thermoelectric Properties of Ag/Yb0.35Co4Sb12 Thermoelectric Composites

ZHOU Zhen-xing;CHEN Peng;FAN Sheng-jie;LU Xiao-fang;GU Shi-jia;WANG Lian-jun

Online:2019-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 方钴矿作为性能优异的中温区热电材料而备受关注,如何进一步提升其热电性能是目前研究的热点和难点.本文采用"熔融-退火"结合放电等离子烧结(SPS)的简易方法,成功的制备出了具有不同Ag含量的热电复合材料,并研究了Ag的引入对基体材料热电性能的影响.结果表明,由于Ag的引入,使得电导率(σ)得到显著提升;除此之外,方钴矿与Ag界面之间的能量过滤效应以及基体能带受到Ag的影响,使得赛贝克系数(α)绝对值得到了显著提高;热导率(κ)虽有小幅提升,但得益于高功率因子,最终使得Ag/Yb0.35 Co4 Sb12复合材料的热电性能得到了大幅度提高.特别是当Ag含量为0.5wt;时,热电优值(ZT)在800 K达到1.28,相较于基体提高了44.3;.

中图分类号:

TN304

周振兴;陈鹏;范胜杰;陆晓芳;顾士甲;王连军. Ag/Yb0.35Co4Sb12热电复合材料的制备及热电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(2): 196-200.

ZHOU Zhen-xing;CHEN Peng;FAN Sheng-jie;LU Xiao-fang;GU Shi-jia;WANG Lian-jun. Preparation and Thermoelectric Properties of Ag/Yb0.35Co4Sb12 Thermoelectric Composites[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(2): 196-200.

[1]	杨成东, 马文烨, 夏开鹏, 郁智豪, 高晏琦, 苏琳琳. 利用界面调控制备二维有机半导体晶体及其机制研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(7): 1177-1184.
[2]	韩跃斌, 蒲勇, 施建新. 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(7): 1300-1308.
[3]	武圆梦, 胡俊杰, 王淼, 易觉民, 张育民, 王建峰, 徐科. Fe掺杂GaN晶体非极性面的光学各向异性研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(6): 996-1002.
[4]	牛科研, 张璇, 崔博垚, 马永健, 唐文博, 魏志鹏, 张宝顺. 单晶金刚石p型和n型掺杂的研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(5): 841-851.
[5]	左芬, 翟章印. n型GaAs欧姆接触电极制备工艺[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(4): 606-610.
[6]	张序清, 罗昊, 李佳君, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东. 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(2): 333-343.
[7]	张刚, 付丹扬, 李哲, 黄嘉丽, 王琦琨, 任忠鸣, 吴亮. 籽晶台形状对PVT法同质外延生长氮化铝单晶初始生长的影响[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(1): 27-34.
[8]	刘晓晨, 郁鑫鑫, 葛新岗, 姜龙, 李义锋, 安晓明, 郭辉. 氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(11): 2045-2052.
[9]	张琴, 谢泉, 杨文晟, 黄思丽. K、Ti掺杂Mg₂Si电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(9): 1625-1632.
[10]	陈松, 毛文蔚, 王卫国. Mg₂Sn机械性质及热电输运性能的第一性原理计算[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(9): 1633-1639.
[11]	李强, 皇甫战彪, 李海宁, 董兴邦, 朱祥, 郝蕴琦, 王征. α相和β相BiNbO₄∶Eu³⁺的荧光性能[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(9): 1709-1714.
[12]	开翠红, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东. 基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(9): 1780-1795.
[13]	黄泽琛, 蒋冲, 李耳士, 李家伟, 宋娟, 王一, 郭祥, 罗子江, 丁召. GaAs衬底温度对液滴外延法生长In液滴的影响[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(8): 1431-1437.
[14]	林光伟, 王珊, 张西亚, 高俊伟, 高德东. 直拉单晶炉加热系统的优化设计与分析[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(8): 1541-1551.
[15]	陈王义博, 徐俞, 曹冰, 徐科. 宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(3): 416-420.