人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (2): 321-325.
李祯;杨得草;李尔波;岳建设
出版日期:
2019-02-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
LI Zhen;YANG De-cao;LI Er-bo;YUE Jian-she
Online:
2019-02-15
Published:
2021-01-20
摘要: 为了降低PLZT铁电薄膜的结晶温度,使用溶胶-凝胶法配合紫外光辐照的光化学工艺,在单晶硅基板上低温制备了PLZT铁电薄膜.经过紫外辐照过的凝胶膜可以在400℃促使PLZT获得良好的铁电性能,剩余极化强度为12.3μC/cm2.紫外辐照过的薄膜可以在低温下有效地分解金属醇盐,形成活性金属氧化物,保证材料低温结晶.辐照过程中产生的臭氧可以带走薄膜中的残炭,使得薄膜具有良好的铁电性能.低温制备的PLZT铁电薄膜获得了稳定的光电流和较好的光电转化效率.
中图分类号:
李祯;杨得草;李尔波;岳建设. 光化学溶胶-凝胶制备PLZT铁电薄膜及其光电特性[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(2): 321-325.
LI Zhen;YANG De-cao;LI Er-bo;YUE Jian-she. Fabrication and Photovoltaic Property of PLZT Ferroelectric Thin Film by Photochemical Sol-gel Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(2): 321-325.
[1] | 刘彩云, 高伟, 殷红. 立方氮化硼的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(5): 781-800. |
[2] | 袁文宾, 钟敏. 气相输运沉积制备c轴择优取向的碘化铋薄膜[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(4): 637-642. |
[3] | 罗露林, 张洁, 羊新胜, 赵勇. 氩气退火时间对Fe(Se,Te)薄膜的性能影响研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(4): 660-665. |
[4] | 崔景贺, 蒋权伟, 高忙忙, 梁森. 掺锗提高VO2薄膜的相变温度机理研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(4): 666-672. |
[5] | 李东珂, 陈佳明, 孙腾, 翟章印, 陈贵宾. 磷/硼共掺杂纳米硅的微观结构与光电性质[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(1): 35-41. |
[6] | 张欣雷, 王涛, 查钢强. CsPbBr3单晶薄膜制备及其X射线探测性能研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(10): 1900-1906. |
[7] | 肖靖, 常双聚, 赵莉, 朱亚彬, 陈云琳. 高掺锌/镁铌酸锂薄膜的光电性质[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(9): 1648-1654. |
[8] | 廖杨芳, 谢泉. 溅射功率和溅射时间对Mg2Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(9): 1675-1680. |
[9] | 姬凯迪, 高灿灿, 杨发顺, 熊倩, 马奎. 后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(6): 1056-1061. |
[10] | 马海鑫, 丁广玉, 邢艳辉, 韩军, 张尧, 崔博垚, 林文魁, 尹浩田, 黄兴杰. 不同退火条件对PEALD制备的Ga2O3薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(5): 838-844. |
[11] | 马国斌, 杨松, 徐蕾, 郭凯鑫, 王旭. Gd3+、Co3+共掺杂铁酸铋薄膜多铁性增强及带隙调谐[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(5): 851-857. |
[12] | 王欣月, 张兆诚, 黎智杰, 何婉婷, 温锦秀, 罗坚义, 唐秀凤, 王忆. 基底加热温度对ITO薄膜的性能影响研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(5): 858-865. |
[13] | 石博元, 张芩宇, 姜宏, 文峰, 马艳平. 高硼硅玻璃薄膜的磁控溅射沉积及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2371-2375. |
[14] | 沈波;杨学林;许福军. 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1953-1969. |
[15] | 王珣;汪莱;郝智彪;罗毅;孙长征;韩彦军;熊兵;王健;李洪涛. GaN基三维结构生长与器件应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1984-1995. |
阅读次数 | ||||||
全文 |
|
|||||
摘要 |
|
|||||