单晶硅太阳电池黑角问题的研究

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (5): 889-895.

单晶硅太阳电池黑角问题的研究

和江变;邹凯;李显光

内蒙古日月太阳能科技有限责任公司,呼和浩特 010111;内蒙古太阳能电池产业化工程研究中心,呼和浩特 010111;内蒙古太阳能电池产业化工程研究中心,呼和浩特 010111;包头市山晟新能源有限责任公司,包头 014100;内蒙古自治区产品质量检验研究院,呼和浩特,010070

出版日期:2019-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
内蒙古自治区科技重大专项课题项目(2016-2018);呼和浩特市太阳能电池产业化工程研究中心创新能力建设项目(2014150103000018)

Research on Black Edge of Mono-crystalline Silicon Solar Cells

HE Jiang-bian;ZOU Kai;LI Xian-guang

Online:2019-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用电致发光(EL)技术检测P型常规单晶硅太阳电池,发现角部发黑问题.研究其与电池制造工艺或单晶硅材料的相关性,测试正常和黑角电池片的电性能参数发现黑角电池光电转换效率低于19.90;.经腐蚀剥离电池分析基底单晶硅材料,发现黑角处材料的少子寿命比中心位置处低约50μs以上.用Schimmel A择优腐蚀液剥离黑角电池,在黑角位置的硅材料明显出现位错缺陷,且缺陷数量高于中心区域.经多项实验检测分析,初步得出EL测试出现黑角边问题的单晶硅电池与基底硅材料的原生缺陷有关.

中图分类号:

TM914.4

和江变;邹凯;李显光. 单晶硅太阳电池黑角问题的研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(5): 889-895.

HE Jiang-bian;ZOU Kai;LI Xian-guang. Research on Black Edge of Mono-crystalline Silicon Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2019, 48(5): 889-895.

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