在蓝宝石衬底上外延生长ZnGa2O4纳米线及其表征

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (6): 992-996.

在蓝宝石衬底上外延生长ZnGa2O4纳米线及其表征

李康;李鹏坤;熊庭辉;孙姝婧;陈晨龙

中国科学院福建物质结构研究所,中科院光电材料化学与物理重点实验室,福州350002;中国科学院大学,北京100049;中国科学院福建物质结构研究所,中科院光电材料化学与物理重点实验室,福州350002

出版日期:2019-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
福建省“百人计划”(第四批)项目;国家自然科学基金(61774158);福建省自然科学基金(2018J01110)

Epitaxial Growth and Characterization of ZnGa2O4 Nanowires on Sapphire Substrate

LI Kang;LI Peng-kun;XIONG Ting-hui;SUN Shu-jing;CHEN Chen-long

Online:2019-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用一种简单的化学气相沉积法成功地在c面蓝宝石衬底上外延生长了整齐排列的ZnGa2O4单晶纳米线.研究了在不同生长温度和生长压力下外延生长ZnGa2O4纳米线,并使用XRD,SEM和TEM对产物进行了表征.结果表明,在生长条件为980℃和100 Torr时,可以外延生长出整齐排列的ZnGa2O4纳米线.所制备的ZnGa2O4纳米线直径为60 ～ 150 nm,并遵循Au催化的VLS生长机制沿其四个结晶学方向在蓝宝石上外延生长.分析了纳米线沿四个方向生长的原因,并对纳米线的光致发光性能进行了探讨.

中图分类号:

TQ139.2

李康;李鹏坤;熊庭辉;孙姝婧;陈晨龙. 在蓝宝石衬底上外延生长ZnGa2O4纳米线及其表征[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(6): 992-996.

LI Kang;LI Peng-kun;XIONG Ting-hui;SUN Shu-jing;CHEN Chen-long. Epitaxial Growth and Characterization of ZnGa2O4 Nanowires on Sapphire Substrate[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(6): 992-996.

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