Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (7): 1203-1207.

Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展

杨帆;王美琪;关卫省

长安大学环境科学与工程学院,旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室,西安710054

出版日期:2019-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然基金面上项目(41472220);陕西省自然科学基金(2017JM2014)

Research Progress on Preparation and Application of Group Ⅲ Nitride Semiconductor Nanomaterials

YANG Fan;WANG Mei-qi;GUAN Wei-sheng

Online:2019-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台.综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材料的典型制备方法、目前的应用现状,并对存在的问题加以总结.

中图分类号:

TB383

杨帆;王美琪;关卫省. Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(7): 1203-1207.

YANG Fan;WANG Mei-qi;GUAN Wei-sheng. Research Progress on Preparation and Application of Group Ⅲ Nitride Semiconductor Nanomaterials[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(7): 1203-1207.

[1]	罗伟, 杜锐. ZnO(n)/ZnSe(i)/c-Si(p)异质结太阳电池的模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2282-2286.
[2]	陈云, 蔡厚道. 单层n型MoS₂/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2287-2291.
[3]	刘雪飞, 罗子江, 吕兵. 二维CdO的低晶格热导率研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2292-2296.
[4]	李东, 高彩云. 功能模板导向合成介孔三氧化钨及其光电化学性能[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2350-2357.
[5]	王付雄, 谢婉谊. 自支撑氮化硅膜结构制备工艺优化[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2358-2364.
[6]	康杰;宋月鹏;孙为云;丁紫阳;李连荣;焦璨;雷腾飞. 可控化学腐蚀法制备碳化硅量子点及其表面修饰[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1889-1895.
[7]	张伟;张敏;郭凯鑫;崔瑞瑞;邓朝勇. Ga0.8Fe1.2O3/Ba0.8Ca0.2Ti0.8Zr0.2O3复合薄膜的制备和铁电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1599-1603.
[8]	胡德巍;唐安江;唐石云;韦德举;田合鑫. 硅纳米线的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1743-1751.
[9]	何光强;魏欣;张敏;安辛友;龚利平;曾体贤. 背电极面积优化对非晶硅太阳能电池的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1187-1194.
[10]	史永贵;桑昭君;王允威;赵高扬. 气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 439-445.
[11]	陈婷;胡泽浩;徐彦乔;白日胜;江莞;江伟辉;谢志翔. 一步法制备CsPbBr3/Cs4 PbBr6复合纳米晶及其荧光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 252-258.
[12]	颜元凯;顾杰;王帅;万茜. 水溶性高质量二维材料纳米片的制备及其表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(1): 92-98.
[13]	樊志琴;陈飞跃. 射频磁控溅射不锈钢衬底AlN薄膜的制备与特性研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2201-2206.
[14]	高奕红;王珊;邓玲娟;马占营;范广;来鑫. 壳聚糖/氧化石墨/SiO2薄膜的制备及吸附性能[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(6): 1163-1171.
[15]	毛华明;张彬;唐晓宁;蒋先发;叶孟婕;杨苏娥. 锌型复合无机抗菌材料的制备及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(3): 505-513.

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Research Progress on Preparation and Application of Group Ⅲ Nitride Semiconductor Nanomaterials

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