Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (1): 99-104.

Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算

谢杰;张晋敏;冯磊;潘王衡;王立;贺腾;陈茜;肖清泉;谢泉

贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

出版日期:2020-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
贵州省自然科学基金(黔科合基础[2018]1028);贵州大学研究生重点课程项目(贵大研ZDKC[2015]026);国家自然科学基金(61264004);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09)

First-principles Calculation on the Photoelectric Properties of Mo Doped Mn4Si7

XIE Jie;ZHANG Jinmin;FENG Lei;PAN Wangheng;WANG Li;HE Teng;CHEN Qian;XIAO Qingquan;XIE Quan

Online:2020-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn4 Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV,Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV.掺杂使得Mn4 Si7费米面附近的电子结构发生改变,导带底由Γ点转移为Y点向低能方向下偏移,价带顶向高能方向上偏移,带隙变窄.计算还表明Mo掺杂Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加.

中图分类号:

O734

谢杰;张晋敏;冯磊;潘王衡;王立;贺腾;陈茜;肖清泉;谢泉. Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(1): 99-104.

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