碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (10): 1787-1793.

碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

石爱红;李源;艾文森

青海民族大学化学化工学院,西宁 810007;青海民族大学能源与动力工程系,西宁 810007;西安交通大学能源与动力工程学院,西安 710049

出版日期:2020-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q)

Epitaxial Growth Mechanism of SiC on the Vicinal Surface Simulated by Kinetic Monte Carlo

SHI Aihong;LI Yuan;AI Wensen

Online:2020-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制.生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响.模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式.当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式.其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加,晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式.最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显.

中图分类号:

O782

石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793.

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