人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (10): 1904-1910.
韩博;李进;安百俊
出版日期:
2020-10-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
HAN Bo;LI Jin;AN Baijun
Online:
2020-10-15
Published:
2021-01-20
摘要: 定向凝固法制备的多晶硅是目前主要的光伏原材料,制备过程中热场结构和硅熔体对流形态对于生长高质量的多晶硅极为重要,本文利用专业晶体生长软件CGSim对制备太阳能级多晶硅用真空感应铸锭炉中的石墨坩埚进行改进并进行了数值模拟,分析了不同石墨坩埚厚度的变化对热场、流场、固液界面、硅晶体应力场以及和V/G值的影响.结果表明,当石墨坩埚厚度为20 mm,可获得良好的对流形态、平坦的固液界面、合理的V/G值等,有利于节约多晶硅的生产成本并提高多晶硅的品质,为生产实践中工艺方案优化及缺陷分析等提供重要的理论依据.
中图分类号:
韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910.
HAN Bo;LI Jin;AN Baijun. Numerical Simulation of Influence of Graphite Crucible Thickness on Solar-Grade Polysilicon Prepared by Induction Heating[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(10): 1904-1910.
[1] | 刘文娇, 张明记, 辛显辉, 郝元凯, 付秀伟, 张健, 贾志泰, 陶绪堂. 微下拉法生长Tb3AlxGa5-xO12磁光晶体及其性能表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(1): 8-16. |
[2] | 力茂林, 徐悟生, 张斌, 田东升, 尹祖荣, 张镇玺, 贾永超, 徐朝鹏. 大尺寸掺铊碘化钠晶体生长及闪烁性能[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(1): 17-24. |
[3] | 李鹏飞, 胡子钰, 郑国宗. Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(12): 2009-2013. |
[4] | 丁小南, 田相鑫, 赵鹏, 高泽亮, 刘敬权. Aurivillius结构Bi2MoxW1-xO6铁电功能晶体的生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(11): 1858-1870. |
[5] | 杨祥龙, 陈秀芳, 谢雪健, 彭燕, 于国建, 胡小波, 王垚浩, 徐现刚. 8英寸导电型4H-SiC单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(9-10): 1745-1748. |
[6] | 穆文祥, 贾志泰, 陶绪堂. 4英寸氧化镓单晶生长与性能[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(9-10): 1749-1754. |
[7] | 孙英龙, 郑丽丽, 张辉. 准单晶硅铸锭过程中加热功率及硅料堆积孔隙率对籽晶熔化的影响[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(9-10): 1755-1768. |
[8] | 蔡文为, 刘祥炜, 王浩, 汪建元, 郑力诚, 王永嘉, 周颖慧, 杨旭, 李金钗, 黄凯, 康俊勇. 生长气压对分子束外延β-Ga2O3薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(7): 1152-1157. |
[9] | 张晶, 刘丁. ø300 mm直拉硅单晶生长过程中的变晶现象及其影响因素[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(7): 1185-1193. |
[10] | 丁言国, 叶崇志. YAlO3∶Ce晶体的生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(6): 965-972. |
[11] | 张嘉泓, 张继军, 王林军, 徐哲人, 曹祥智, 卢伟. 移动加热器法生长碲锌镉晶体的组分输运与界面形貌研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(6): 973-985. |
[12] | 吴新栋, 张潮, 刘晓霖. 钙钛矿及类钙钛矿热致变色单晶材料的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(6): 1099-1109. |
[13] | 刘彩云, 高伟, 殷红. 立方氮化硼的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(5): 781-800. |
[14] | 殷梓萌, 郑凯文, 邹幸洁, 路鑫宇, 陈凯, 叶煜聪, 胡文晓, 陶涛. 人造金刚石单晶薄膜的制备及表面形貌优化[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(5): 901-909. |
[15] | 刘曼曼, 汪跃群, 熊俊杰, 张文杰, 孔舒燕, 杨晓明, 王祖建, 龙西法, 何超. 高居里温度铁电单晶PIN-PT的机电性能[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(4): 579-586. |
阅读次数 | ||||||
全文 |
|
|||||
摘要 |
|
|||||