偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2206-2210.

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偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究

胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明

西安理工大学电子工程系,西安 710048%西安电子科技大学微电子学院,西安 710071

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家自然科学基金)%(陕西省教育厅自然科学专项项目)%(陕西省重点研发计划)

New Type of Triangular Defects in 4H-SiC 4°Off-Axis Homoepitaxial Layers

HU Jichao;WANG Xi;JIA Renxu;PU Hongbin;CHEN Zhiming

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3 H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长.通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman),对外延层中的新形貌三角形缺陷——顶端有倒金字塔结构的三角形缺陷(IPRTD)的表面形貌、结构进行了表征,并根据表征结果提出了该新形貌三角形缺陷的产生机理.研究结果表明,IPRTD由3C-SiC晶型构成;在外延生长中,位于IPRTD生长方向上游的位错缺陷所引起的表面吸附原子的2D成核生长是导致3C-SiC晶型出现的主要原因.同时,外延生长过程中,生长速率和氢气刻蚀作用在[1120]和[1100]/[1100]方向上的差异是导致IPRTD顶端具有倒金字塔结构的主要原因.

中图分类号:

O782
TN304

胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.

HU Jichao;WANG Xi;JIA Renxu;PU Hongbin;CHEN Zhiming. New Type of Triangular Defects in 4H-SiC 4°Off-Axis Homoepitaxial Layers[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(11): 2206-2210.

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