高温高压硼掺杂金刚石辐照缺陷的生长晶面依赖性研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (2): 217-221.

高温高压硼掺杂金刚石辐照缺陷的生长晶面依赖性研究

王凯悦;丁森川

太原科技大学材料科学与工程学院,太原 030024;西安交通大学电子与信息学部,西安 710049;太原科技大学材料科学与工程学院,太原,030024

出版日期:2020-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61705176);中国博士后科学基金特别资助(2018T111057);中国博士后科学基金面上资助(2017M620449);陕西省博士后科研资助项目与科研配套项目(2018-217);山西省研究生教育创新项目(2018SY086);山西省高等学校科技创新项目(2019L0619)

Growth-sector Dependence of Irradiated Defects in High-temperature and High-pressure Synthetic Boron-doped Diamond

WANG Kaiyue;DING Senchuan

Online:2020-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 硼是金刚石中最常见的受主元素之一,其在价带之上0.37 eV处形成了浅能级,因此硼掺杂金刚石被认为是一种理想的p型半导体材料.在化学气相沉积法制备的硼掺杂金刚石中,硼杂质在晶体中的分布非常不均匀,其拉曼信号强度对测试位置的依赖性非常强,且可重复性很差.而对于高温高压法合成的硼掺杂金刚石来说,同一晶面上硼杂质分布变化较小.本文利用低温光致发光光谱研究了高温高压法合成的硼掺杂金刚石辐照缺陷的光致发光性质,并利用晶体生长理论讨论了辐照缺陷在不同晶面上的分布情况.

中图分类号:

V254.2

王凯悦;丁森川. 高温高压硼掺杂金刚石辐照缺陷的生长晶面依赖性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 217-221.

WANG Kaiyue;DING Senchuan. Growth-sector Dependence of Irradiated Defects in High-temperature and High-pressure Synthetic Boron-doped Diamond[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(2): 217-221.