Co元素掺杂CrSi2的第一性原理计算

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (2): 229-233.

Co元素掺杂CrSi₂的第一性原理计算

秦铭哲;肖清泉;何安娜;周士芸;冯磊

贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025

出版日期:2020-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61264004);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09);贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015)

First-principles Calculation on Co Doped CrSi₂

QIN Mingzhe;XIAO Qingquan;HE Anna;ZHOU Shiyun;FENG Lei

Online:2020-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi₂的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,掺杂后的CrSi₂晶格常数无明显变化,禁带宽度增大.由于Co元素3d电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级.掺杂后的CrSi₂复介电函数虚部在低能方向发生红移,在小于1.20 eV,大于2.41 eV的能量范围内光跃迁强度增强.吸收系数的主峰向高能方向移动,峰值增大,在小于1.38 eV,大于3.30 eV的能量范围改善了CrSi₂对红外光子的吸收.光电导率的主峰向高能方向移动,在小于1.16 eV,大于2.36 eV的能量范围内光电导率增强,说明掺杂Co元素后改善了CrSi₂特别是红外光区的光电性质,计算结果为CrSi₂光电器件的研究制造提供了理论依据.

关键词: 第一性原理, CrSi2, 掺杂, 电子结构, 光学性质

中图分类号:

O562

秦铭哲, 肖清泉, 何安娜, 周士芸, 冯磊. Co元素掺杂CrSi₂的第一性原理计算[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 229-233.

QIN Mingzhe, XIAO Qingquan, HE Anna, ZHOU Shiyun, FENG Lei. First-principles Calculation on Co Doped CrSi₂[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(2): 229-233.

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First-principles Calculation on Co Doped CrSi₂

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