气相输运沉积制备化合物薄膜材料的研究进展

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (2): 358-362.

气相输运沉积制备化合物薄膜材料的研究进展

景宝堂;钟敏;袁文宾;张宇峰

渤海大学新能源学院,锦州 121013;辽宁省光电功能材料与检测重点实验室,锦州 121013;渤海大学新能源学院,锦州,121013

出版日期:2020-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61575029,61474009)

Research Progress on Preparation of Compound Thin Films by Vapor Transport Deposition

JIN Baotang;ZHONG Min;YUAN Wenbin;ZHANG Yufeng

Online:2020-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 相比用于制备晶体材料的化学气相输运(Chemical Vapor Transport,CVT)方法,近空间气相输运沉积(Close-spaced Vapor Transport Deposition,CSVT)及气相输运沉积(Vapor Transport Deposition,VTD)方法不为人们所熟知.近几年来,气相输运沉积逐渐应用于锑基薄膜(Sb2 Se3、Sb2 S3及Sb2(Se,S)3)、锡基薄膜(SnS、SnS2)及铋基薄膜(Bi2 Se3、Bi2 Te3)等材料的制备,有可能成为一种重要的材料制备方法.本文综述了气相输运沉积用于化合物薄膜制备的研究进展,对其特点进行分析,并对其发展趋势进行了展望.

中图分类号:

O484

景宝堂;钟敏;袁文宾;张宇峰. 气相输运沉积制备化合物薄膜材料的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 358-362.

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