基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (3): 422-427.

基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟

罗伟;姜鑫;梁世豪;杜锐

东北石油大学电子科学学院,大庆163318;黑龙江省高校校企共建测试计量技术及仪器仪表工程研发中心,大庆163318;东北石油大学电子科学学院,大庆,163318

出版日期:2020-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
黑龙江省高等教育教学改革一般研究项目(SJGY20190100)

Simulation of Single Layer MoS2 (n)/a-Si (i)/c-Si (p) / μc-Si (p +) Heterojunction Solar Cells Based on AFORS-HET Software

LUO Wei;JIANG Xin;LIANG Shihao;DU Rui

Online:2020-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 设计了单层MoS2 (n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池结构,采用AFORS-HET模拟软件模拟了背场层的带隙、掺杂浓度和缺陷密度等参数对开路电压、短路电流、填充因子和转化效率的影响.结果显示,背场层带隙在1.5 ～1.7 eV之间,背场层的掺杂浓度大于1×1018 cm-3时,该结构的太阳能电池有比较稳定的表现.缺陷密度增加时,太阳能电池效率随着缺陷密度的对数线性减小,当控制缺陷密度在1011 cm-3以下时,可以获得大于24.10;的转化效率,缺陷密度为109 cm-3时,可以获得最高29.08;的转换效率.最后研究了背场层对该结构太阳能电池的作用,结果显示有效控制缺陷密度时,背场层的添加对电池效率的提升很明显.

中图分类号:

TN36

罗伟;姜鑫;梁世豪;杜锐. 基于AFORS-HET的单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 422-427.

LUO Wei;JIANG Xin;LIANG Shihao;DU Rui. Simulation of Single Layer MoS2 (n)/a-Si (i)/c-Si (p) / μc-Si (p +) Heterojunction Solar Cells Based on AFORS-HET Software[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(3): 422-427.

[1]	沈波;杨学林;许福军. 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1953-1969.
[2]	贲建伟;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行;张山丽;黎大兵;吕威. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2046-2067.
[3]	杨珏晗;魏钟鸣;牛智川. 基于二维材料异质结的光探测器研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 379-397.
[4]	杨浩志;李治玥;辛艳青;徐涛;宋淑梅;孙珲. GZO/Al复合背电极对非晶硅太阳能电池的影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(2): 267-272.
[5]	马新尖;杨东;司志华;冯帅臣. 臭氧氧化抗P ID晶硅太阳电池减反射膜分析[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(1): 189-193.
[6]	张正宜;梁将;武维. 激发功率密度和阱层厚度对极化InGaN/GaN多量子阱光致发光性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(2): 385-392.
[7]	姚尧;肖少庆;刘晶晶;顾晓峰. 利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 935-940.
[8]	马德营;李佩旭;夏伟;李树强;汤庆敏;张新;任忠祥;徐现刚. Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 597-601.