高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (4): 570-575.

高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究

刘兵;蒲红斌;赵然;赵子强;鲍慧强;李龙远;李晋;刘素娟

西安理工大学自动化与信息工程学院,西安 710048;中科钢研节能科技有限公司,北京 100081;西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048;西安理工大学自动化与信息工程学院,西安 710048;西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048;中科钢研节能科技有限公司,北京,100081

出版日期:2020-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-003)

Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal

LIU Bing;PU Hongbin;ZHAO Ran;ZHAO Ziqiang;BAO Huiqiang;LI Longyuan;LI Jin;LIU Sujuan

Online:2020-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素.采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体.用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征.测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm-2,电阻率范围为0.02～0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″.

中图分类号:

TN304.2
O782

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