中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (5): 771-773.

中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备

方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;康彬

中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999;四川省新材料研究中心,成都 610200;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳 621999

出版日期:2020-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国工程物理研究院化工材料研究所攻关项目

Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy:PbGa2S4

FANG Pan;YUAN Zerui;CHEN Ying;YIN Wenlong;KANG Bin

Online:2020-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 镝掺杂硫镓铅(Dy:PbGa2S4,Dy:PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料.为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy:PGS单晶.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy:PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy:PbGa2S4单晶,尺寸达到φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy:PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础.

中图分类号:

O782+.9

方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;康彬. 中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771-773.

FANG Pan;YUAN Zerui;CHEN Ying;YIN Wenlong;KANG Bin. Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy:PbGa2S4[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(5): 771-773.

[1]	袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493.
[2]	陈莹;袁泽锐;方攀;谢婧;张羽;尹文龙;康彬. 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1505-1508.
[3]	李宝珠;高彦昭;王健;程红娟;陈毅;姚宝权. 高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1517-1522.
[4]	高彦昭;杨瑞霞;张颖武;王健. HPVB法生长的CdSe单晶性能研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(4): 669-673.
[5]	何小玲;周海涛;王金亮;霍汉德;张昌龙;左艳彬;卢福华. Bi4Si3O12晶体的水热法生长研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(6): 1475-1479.
[6]	何小玲;张昌龙;周海涛;左艳彬;覃世杰;王金亮. 氮化镓晶体的氨热法生长进展[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1293-1298.