石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (5): 794-798.

石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究

周浩;徐俞;曹冰;徐科;王钦华

苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006;江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123

出版日期:2020-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点研发计划(2017YFB0404100)

Orientation Evolution Study of Epitaxial GaN Films on Graphene

ZHOU Hao;XU Yu;CAO Bing;XU Ke;WANG Chinhua

Online:2020-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化.采用AlN成核层辅助生长,GaN由取向相差较大的小晶粒,逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒,最终形成了约4.6μm厚的GaN薄膜.通过EBSD和XRD证实了GaN晶体取向一致性的提高,拉曼光谱也表明GaN晶体的高质量.

中图分类号:

TN304

周浩;徐俞;曹冰;徐科;王钦华. 石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 794-798.

ZHOU Hao;XU Yu;CAO Bing;XU Ke;WANG Chinhua. Orientation Evolution Study of Epitaxial GaN Films on Graphene[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(5): 794-798.

[1]	张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.
[2]	姜元希;刘南柳;张法碧;王琦;张国义. 氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2038-2045.
[3]	冯淦;孙永强;钱卫宁;陈志霞. 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2128-2138.
[4]	程红娟;金雷;武红磊;齐海涛;王增华;史月曾;张丽. AlN单晶生长行为研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2200-2205.
[5]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[6]	胡德巍;唐安江;唐石云;韦德举;田合鑫. 硅纳米线的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1743-1751.
[7]	刘欢;朱如忠;龚建超;王琦琨;付丹扬;雷丹;黄嘉丽;吴亮. 高温退火工艺对直流反应磁控溅射制备蓝宝石基氮化铝模板的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1541-1547.
[8]	刘兵;蒲红斌;赵然;赵子强;鲍慧强;李龙远;李晋;刘素娟. 高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570-575.
[9]	靳果;朱清智. p型G aSb窗口层在热光伏电池中的应用研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 638-645.
[10]	兰天平;边义午;周春锋;宋禹. VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 412-416.
[11]	何海英;冯秋浴;陈宇;杨至灏. Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 234-238.
[12]	王汐璆;庄文昌;张凯惠;付博;贾志泰;罗新泽. 化学气相沉积法制备氧化镓纳米线[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2174-2178.
[13]	贺广东;王琦琨;雷丹;龚建超;黄嘉丽;付丹扬;吴亮. 物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1604-1607.
[14]	牛楠楠;左然. AlN的MOCVD生长中表面吸附的量子化学研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(7): 1268-1274.
[15]	姜思宇;熊芬;吴隽;祝柏林;郭才胜;姚亚刚;甘章华;刘静. 不同磁控溅射方式制备的C掺杂h-BN薄膜微观结构与导电性研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(5): 846-853.

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Orientation Evolution Study of Epitaxial GaN Films on Graphene

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