行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (7): 1168-1175.

行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响

茅艳琳;左然

江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

出版日期:2020-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基会(61474058)

Influence of Inlet Structure of Planetary Reactor on Gas Reaction Path and Growth Rate in AlN-MOCVD

MAO Yanlin;ZUO Ran

Online:2020-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时,衬底前端的含Al粒子浓度明显升高,尤其是MMAl的浓度比传统进口反应器高两个数量级,气相反应中热解路径占主导,薄膜生长速率明显提高.在倒置进口的基础上优化隔板位置,生长速率略微降低,但薄膜均匀性明显改善.当反应器进口数量从二重变为三重和五重,反应从热解路径占主导变为热解路径和加合路径共同作用,薄膜生长速率逐渐增加,而均匀性明显改善.

中图分类号:

O782
TQ133.1

茅艳琳;左然. 行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1168-1175.

MAO Yanlin;ZUO Ran. Influence of Inlet Structure of Planetary Reactor on Gas Reaction Path and Growth Rate in AlN-MOCVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(7): 1168-1175.

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