双掺杂TGS晶体--LUTGS

人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (4): 326-329.

双掺杂TGS晶体--LUTGS

史伟;王民;孙洵;房昌水

山东大学晶体材料研究所,晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:1998-04-15 发布日期:2021-01-20

Double Doped TGS Single Crystal-LUTGS

Shi Wei;Wang Min;Sun Xun;Fang Changshui

Online:1998-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 分别在58～54℃和45～38℃温区生长了完整的LUTGS单晶.揭示了两种晶体的生长习性.通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量,发现两温区生长的LUTGS单晶的热释电材料优值M(P/ε)无大差异,但都比纯TGS有显著提高.

中图分类号:

史伟;王民;孙洵;房昌水. 双掺杂TGS晶体--LUTGS[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(4): 326-329.

Shi Wei;Wang Min;Sun Xun;Fang Changshui. Double Doped TGS Single Crystal-LUTGS[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1998, 27(4): 326-329.

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