稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (1): 37-41.

稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能

费一汀;孙仁英;范世(马豈)

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

出版日期:1999-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东大学校科研和教改项目

Growth and Properties of Rare-earth(Ce,Nd and Eu)Doped Bi4Si3O12 Crystals

Fei Yiting;Sun Renying;Fan Shiji

Online:1999-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12晶体及Ce、Nd和Eu掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性.

中图分类号:

O782.5

费一汀;孙仁英;范世(马豈). 稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(1): 37-41.

Fei Yiting;Sun Renying;Fan Shiji. Growth and Properties of Rare-earth(Ce,Nd and Eu)Doped Bi4Si3O12 Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1999, 28(1): 37-41.

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稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能

Growth and Properties of Rare-earth(Ce,Nd and Eu)Doped Bi4Si3O12 Crystals

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