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1999年 第28卷 第1期
刊出日期：1999-01-15

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熔融BaB2O4急冷玻璃态结构和态密度的分子动力学模拟

陈柳;程兆年;汤正诠;唐鼎元

1999, 28(1):  1-7. 

摘要 ( 16 )   PDF (145KB) ( 15 )  

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采用分子动力学模拟方法研究了熔融BaB2O4急冷玻璃结构.模拟得到玻璃体的径向分布函数、配位数与熔体的实验结果相近.模拟结果表明,熔态和急冷玻璃态中存在大量BO3基团及少量BO4基团,而很少存在B3O6环.在分子动力学模拟产生的各瞬态构型基础上,通过正态模式分析方法,研究了Hessian矩阵元和Hessian矩阵本征值的计算方法,并统计得到了BBO玻璃体静态态密度.在分子动力学模拟产生的各瞬时速度基础上,发展了速度自相关函数及其Fourier变换程序,并计算得到玻璃体的动态态密度.模拟表明,通过各瞬态构型用Hessian矩阵计算得到的态密度也与由速度自相关函数的快速Fourier分析结果得到的态密度符合得很好.

石榴石晶体生长过程的生长动力学模型

刘永才;Simon Brandon

1999, 28(1):  8-16. 

摘要 ( 9 )   PDF (235KB) ( 17 )  

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本文开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来研究熔体法石榴石晶体生长过程中界面动力学的影响.建立了一个可导致界面上小面形成的动力学模型,该模型可处理界面上粗糙面区域和光滑面区域共存的复杂情况.模型中小面区域的动力学系数与界面上的过冷度及取向角均有关.计算结果显示了小面的形成和界面上各向异性的过冷度分布.

负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅰ)水晶(SiO2),闪锌矿(ZnS),碘化镉(CdI2)

仲维卓;罗豪甦;华素坤

1999, 28(1):  17-22. 

摘要 ( 5 )   PDF (261KB) ( 18 )  

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本文用负离子配位多面体生长基元理论模型研究了水晶(SiO2)、闪锌矿(ZnS)和碘化镉(CdI2)晶体表面结构的形成,指出晶体的表面结构是负离子配位多面体在晶体表面的迭合轨迹,把晶体的表面结构与内部结构由表及里的有机联系起来.

掺钕钒酸钇单晶生长研究

孟宪林;祝俐;张怀金;吕孟凯

1999, 28(1):  23-26. 

摘要 ( 13 )   PDF (86KB) ( 29 )  

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对掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)的多晶料制备、单晶生长、晶体生长形态、掺质分凝效应等进行了系统研究.本文报道了该研究的主要结果.

大尺寸优质钒酸钇(YVO4)双折射晶体生长

李敢生;吴喜泉;位民;诸月梅;俞振森;滕硕;王建国

1999, 28(1):  27-30. 

摘要 ( 15 )   PDF (82KB) ( 26 )  

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采用硝酸脱水合成的原料,异型大口径铱坩埚,近平界面生长技术以及真空增氧退火工艺,成功地生长出直径为30～35mm,长度为50mm完整透明,无散射中心,无核芯的YVO4单晶.

高质量YCOB和Nd:YCOB晶体的生长条件探讨

宫波;魏景谦;王继扬;刘耀岗;胡晓波;管庆才;蒋民华

1999, 28(1):  31-36. 

摘要 ( 6 )  

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本文详细报道了采用熔体提拉法生长高质量三硼酸氧钙钇[YCa4O(BO3)3,YCOB]和掺钕三硼酸氧钙钇[Nd:YCa4O(BO3)3,Nd:YCOB]的结果.详细讨论了各种因素对晶体生长的影响.认为籽晶取向和温度梯度是影响该晶体生长的主要因素;其它因素,如提拉速度、转速及熔体准备过程对晶体生长也有重要作用.综合考虑各种因素后生长了高质量的YCOB和Nd:YCOB晶体.典型尺寸为20×50mm.

稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能

费一汀;孙仁英;范世(马豈)

1999, 28(1):  37-41. 

摘要 ( 2 )   PDF (132KB) ( 16 )  

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本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12晶体及Ce、Nd和Eu掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性.

添加剂下KDP晶体的快速生长

杨上峰;苏根博;李征东;江日洪

1999, 28(1):  42-47. 

摘要 ( 14 )   PDF (188KB) ( 26 )  

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本文在测定KDP溶解度曲线及介稳区的基础上,通过添加几种硼酸盐类添加剂,并采用Z切点籽晶实现了KDP晶体的快速生长,[001]和[100]方向的生长速度可达10～15mm/d(5L生长槽).

DKDP晶体亚稳相生长研究

常新安;王希敏;肖卫强;臧和贵;张克从

1999, 28(1):  48-53. 

摘要 ( 5 )   PDF (137KB) ( 17 )  

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本文通过大量DKDP晶体亚稳相生长实验,对影响DKDP亚稳相生长体系稳定性、晶体生长速率和质量的因素进行了研究,并简要探讨了其影响机理,提出了消除或减弱不利影响的措施,为生长优质大尺寸DKDP晶体提供了依据.

水热条件下氧化物枝蔓晶的形成

李汶军;施尔畏;仲维卓;郑燕青;殷之文

1999, 28(1):  54-57. 

摘要 ( 3 )   PDF (153KB) ( 15 )  

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本文在采用水热盐溶液卸压技术制备氧化物粉体时发现制得的氧化物颗粒之间按一定的规律连生在一起,形成类似于枝蔓晶的生长形态.通过对其连生方式的分析发现,在过饱和度较低的条件下连生也存在各向异性.即晶粒生长速度快的晶面易连生在一起.

有机非线性光学晶体--3.5-二硝基苯甲酸·二乙醇胺

郑吉民;车云霞;夏爱兵;商金荣

1999, 28(1):  58-61. 

摘要 ( 5 )  

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本文进行了3.5-二硝基苯甲酸(3.5-DNBA)与二乙醇胺(DEA)单晶体的形貌分析,和热化学分析;测定了晶体的透过波段与晶体结构,并测试了晶体的二次谐波强度.

一种改性的TGS:Be2+热释电单晶体

李兆阳;郑吉民;车云霞

1999, 28(1):  62-64. 

摘要 ( 3 )   PDF (53KB) ( 11 )  

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本文报道了在TGS中掺入适量的金属铍离子的新晶体生长特性,晶体形貌分析,同时测定了新晶体的热释电系数(P)、介电常数(ε)、居里温度(Tc).实验表明,在TGS中掺入金属铍离子生成的TGAS:Be2+晶体的优值比明显提高.

负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

王万录;廖克俊;方亮;王必本;冯斌

1999, 28(1):  65-68. 

摘要 ( 8 )   PDF (106KB) ( 18 )  

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本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.

金刚石薄膜的ECR CVD及分形现象研究

张阳;杨新武;陈光华

1999, 28(1):  69-73. 

摘要 ( 4 )   PDF (125KB) ( 16 )  

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用ECR CVD(电子回旋共振化学气相沉积)方法沉积出了多晶金刚石薄膜,测量了薄膜的Raman散射谱、X射线衍射谱和SEM.生长条件是:V(CH4)/V(H2)=4;,气体总流量是150sccm,反应压力是0.1Pa,微波功率是700W,衬底偏压是-150V.发现了在金刚石薄膜沉积初期阶段的分形生长现象,用DLA模型解释了其分形生长机制,用Monte Carlo方法对其生长过程进行了计算机模拟,理论与实验结果相符.

燃焰法沉积高品质透明金刚石薄膜的研究

黄树涛;张志军;姚英学;袁哲俊

1999, 28(1):  74-78. 

摘要 ( 6 )   PDF (163KB) ( 18 )  

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采用燃焰法在大气环境下以30μm/h的较高速率沉积出了均匀、优质、透明的金刚石薄膜.实验结果表明,较高的V(O2)/V(C2H2)和适中的基体温度是获得高品质金刚石薄膜的基本条件;提高反应气体中氧气浓度,可使沉积高品质透明金刚石薄膜的基体温度范围变宽.

金刚石锯片激光焊接缺陷和断口分析

夏锦华;殷声;叶宏煜;胡恩良

1999, 28(1):  79-83. 

摘要 ( 4 )   PDF (273KB) ( 18 )  

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激光焊接的快速加热及快速冷却特性决定了焊缝的成分及组织的不均匀性,由此导致了产生各种焊接缺陷的可能性.本文利用扫描电镜分析了金刚石锯片激光焊接过程中出现的主要焊接缺陷,如:气孔、裂纹、夹杂物.此外,还对抗弯强度试样的断口进行了分析.

任意晶向的晶体切割及高平行度同心圆加工法

陈绍林;李冠告

1999, 28(1):  84-87. 

摘要 ( 3 )   PDF (68KB) ( 19 )  

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在晶体加工中,特殊晶向及晶体棱镜的切割一直是困扰加工者的一大难题.虽然通过一边研磨一边测量修正能够制作出器件,但是,要付出很大的工作量,而且晶体损失严重.又由于误差积累致使加工精度很难提高.另外,在晶体抛光过程中,平行度要达到1″～2″,光洁度在3级以上时,传统的光学玻璃加工工艺也是无法达到的.本文介绍一种解决这两个难题的新方法.

红外非线性材料ZnGeP2的研究(Ⅰ)--多晶料的合成

卓洪升;顾庆天;房昌水

1999, 28(1):  88-90. 

摘要 ( 6 )  

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本文报告了红外非线性材料ZnGeP2多晶料的合成方法.该法是以元素态的磷、锗,锌为原料,通过直接化合的方法进行合成.合成的多晶料经比重测量和X-射线粉末衍射测试证明与标准值一致.该法为ZnGeP2晶体生长的研究奠定了基础.

晶体对热辐射的吸收对晶体生长的影响

曹余惠

1999, 28(1):  91-95. 

摘要 ( 4 )   PDF (79KB) ( 16 )  

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本文综述了晶体对熔体热辐射吸收对晶体生长的影响,包括对热腔热耗散的影响;对晶体生长温度时间特性的影响;对液流形态和固液界面形状的影响;对晶体界面反转的影响;对晶体中温度分布和应力分布的影响.

黄铜矿型CuInSe2单晶光电材料研究评述

余晓艳;马鸿文;杨静

1999, 28(1):  96-102. 

摘要 ( 2 )   PDF (161KB) ( 14 )  

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Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.

从两面顶、六面顶、凹模的特点论我国合成金刚石装备大型化的方向

姚裕成;胡光亚;佟学礼

1999, 28(1):  103. 

摘要 ( 8 )   PDF (81KB) ( 24 )  

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通过对高温高压合成金刚石3种主要装备在关键部件受力状况与使用寿命、高压腔体积与压力利用率、高压冲程大小与压力稳定性,高压腔变形与温场、压场的关系等方面的比较,分析了3种主要装备在技术难易程度、适用性选择和投入产出比的差异;强调了我国金刚石行业要改变当前只能生产中低档金刚石的现状,向生产高品级锯片级金刚石的方向发展,与国际接轨,应该走大型化两面顶的道路.