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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (1): 96-102.

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黄铜矿型CuInSe2单晶光电材料研究评述

余晓艳;马鸿文;杨静   

  1. 中国地质大学材料科学与工程学院,北京,100083
  • 出版日期:1999-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国土资源部百名跨世纪科技人才培养计划

A Review on Growth Methods of Chalcopyrite CuInSe2 Single Crystal

Yu Xiaoyan;Ma Hongwen;Yang Jing   

  • Online:1999-01-15 Published:2021-01-20

摘要: Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.

关键词: CuInSe2;光电材料;晶体生长;生长方法;化合物半导体

中图分类号: