CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (2): 172-176.

CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异

顾惠明;杨建荣;陈新强;何力

中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料中心及红外物理国家重点实验室,上海,200083

出版日期:1999-02-15 发布日期:2021-01-20

Difference of EPDs on(111)B and (211)B Faces of CdZnTe Crystals by Using Everson Etch

Gu Huiming;Yang Jianrong;Chen Xinqiang;He Li

Online:1999-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加.而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关.研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中,(111)B面上得到的EPD能较为正确的反映CdZnTe材料中的位错密度.

中图分类号:

O782.5
O772

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