摘要： 采用红外分析、金相技术及和透射电子显微(TEM)技术分析了射频PCVD法沉积氮化硼膜的形成过程.结果表明,在沉积过程中,非晶态氮化硼(a-BN)作为领先相首先按平面方式生长,然后立方氮化硼(c-BN)在其上成核,并靠沉积原子表面迁移过程而长大,这种过程交替进行的结果,使膜层由a-BN和c-BN组成.膜层的表面呈层状+胞状形貌,说明薄膜的生长不仅取决于固体表面的扩散,而且也与气相成分的扩散有关.
中图分类号:
张晓玲;胡奈赛;何家文. PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(2): 177-181.
Zhang Xiaoling;Hu Naisai;He Jiawen. Surface Morphology Patterns and Growth Process of PCVD Boron Nitride (BN) Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1999, 28(2): 177-181.
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