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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (3): 229-232.

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Nd∶GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

祝俐;张怀金;孟宪林;张宏臻;Wang Changqing;Y.T.Chow;Wang Pu;Judith Dawes   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,晶体材料研究所,济南,250100;Department of Electronic Engineering,City University of Hong Kong;Centre for Lasers and Applications,Macquaire University,NSW 2109,Australia
  • 出版日期:1999-03-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Laser Properties of Nd∶GdVO4 Crystal at 1064nm

Zhu Li;Zhang Huaijin;Meng Xianlin;Zhang Hongzhen;Wang Changqing;Y.T.Chow;Wang Pu;Judith Dawes   

  • Online:1999-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文报道了用Czochralski方法生长Nd∶GdVO4晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在808.5nm有吸收峰,其发射波长在1064nm.晶体中掺Nd浓度的原子分数为1.56;的Nd∶GdVO4的4F3/2荧光寿命为100μs.用激光二极管泵浦1mm厚的Nd∶GdVO4晶体,得到了超过1W 1064nm的输出光,泵浦阈值为20mW,光-光转换效率为55.9;,斜效率为63;.

关键词: Nd∶GdVO4晶体;激光晶体;光谱;激光运转;引上法晶体生长

中图分类号: