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人工晶体学报 ›› 2000, Vol. 29 ›› Issue (1): 42-44.

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坩埚下降法生长白宝石晶体的研究

邹蒙;范志达;李楠;徐川;黄朝恩   

  1. 人工晶体研究所,北京,100018
  • 出版日期:2000-01-15 发布日期:2021-01-20

Investigation on Growth of Sapphire Crystals by Vertical Bridgman Technique

ZHOU Meng;FAN Zhi-da;LI Nan;XU Chuan;HUANG Chao-en   

  • Online:2000-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶.我们使用大尺寸异型钼坩埚,高纯氧化铝原料,在中性气氛下,结晶区温度梯度为25~30℃/cm,生长速度为0.8~1.8mm/h,生长方向选C面[0001]取向,成功生长出直径80mm,高度90mm的完整透明的白宝石单晶,在300~5500nm范围内,其光学透过率均在80;以上.实验中采用高性能保温材料使生长过程所需加热功率由20kW下降到15kW,能耗降低达25;;采用双回路加热系统,提高温场稳定性,缩短晶体生长周期.晶体的主要缺陷为顶部(生长后期)出现有5~10mm淡黄色色带(经在氧化性气氛中退火后已消除)和底部有细丝状条纹.

关键词: 布里奇曼法;双回路加热系统;白宝石单晶

中图分类号: