当期目录

2000年 第29卷 第1期
刊出日期：2000-01-15

上一期    下一期

Cr:LiSAF可调谐激光晶体的生长及应用

方珍意;黄朝恩;师瑞泽;宋英??阎泽武;刘有臣;胡永岚

2000, 29(1):  1-11. 

摘要 ( 24 )   PDF (490KB) ( 37 )  

相关文章 | 计量指标

本文报道了高质量Cr:LiSrAlF6(简称Cr:LiSAF)晶体的软坩埚下降法生长及其激光特性.采用"固相反应"氟化法处理原料,能有效的去除原料中的氧化物成分和水,得到可用于晶体生长的纯净原料;用厚度仅为0.06～0.09mm的铂金软坩埚,温度梯度控制在20℃/cm以下,用低速率的坩埚下降法生长出尺寸达φ20×130mm的优质单晶,能实现1mol;～15mol;各种浓度的均匀掺杂.在闪光灯泵浦的条件下,该晶体脉冲激光输出能量为3.45J,晶体的储能密度达到2.46J/cm3,激光斜效率高达5.85;,点效率为3.32;.用488nm的单线氩离子泵浦Cr:LiSAF晶体,获得了脉冲宽度40fs、平均输出功率45mW的稳定自锁模脉冲序列.

双有机取代基TGS系列晶体的研究

张克从;李波;王希敏

2000, 29(1):  12-17. 

摘要 ( 27 )   PDF (262KB) ( 32 )  

相关文章 | 计量指标

本文采用水溶液缓慢降温法生长了4种双有机取代基TGS系列晶体.双有机取代基分别为L-α-丙氨酸+乙酸,L-α-丙氨酸+丙酸,L-α-丙氨酸+乳酸,L-α-丙氨酸+异丙醇胺.系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高.并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素.

Sr2TiSi2O8的合成和非线性光学性质研究

袁嵇康;傅佩珍;王俊新;郭范;杨治平;吴以成

2000, 29(1):  18-21. 

摘要 ( 31 )   PDF (164KB) ( 32 )  

相关文章 | 计量指标

采用固相反应法合成了具有硅钛钡石(Ba2TiSi2O8)结构的化合物Sr2TiSi2O8,合成温度在1250℃.对Sr2TiSi2O8的XRD衍射图进行指标化表明它属于四方晶系,晶胞系数为a=b=0.83135nm,c＝0.50190nm,α＝β＝γ＝90°.Sr2TiSi2O8的粉末倍频信号强度约是KH2PO4(KDP)的8倍.反射光谱显示其紫外吸收边为270nm左右.利用自发成核法进行了Sr2TiSi2O8晶体生长研究.

热释电晶体LLTGS研究

苏根博;贺友平;姚宏志;吴锵金;史子康

2000, 29(1):  22-24. 

摘要 ( 25 )   PDF (156KB) ( 22 )  

相关文章 | 计量指标

LLTGS是掺入L-赖氨酸的改进的TGS晶体,用溶液降温法生长出60mm×27mm×14mm的透明单晶.热释电性能测试表明,晶体的自发极化、热释电系数和热释电优值大于纯态的TGS.测定X射线衍射主峰显示LLTGS晶体的晶胞参数大于纯态的TGS;讨论了结构对热释电性能的影响.我们认为TGS的热释电性能可以通过掺入L-赖氨酸分子得到改进,LLTGS晶体是一种有希望的红外探测材料.

CaYO(BO3)3晶体坩埚下降法生长

罗军;钟真武;范世(马豈);王锦昌

2000, 29(1):  25-29. 

摘要 ( 24 )   PDF (235KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

本文首次报道了Ca4YO(BO3)3(YCOB)晶体的坩埚下降法生长.在1600～1650℃炉温下,固液界面处的纵向温度梯度为40～60℃/cm,以0.2～0.6mm/h的生长速率,在近封闭的Pt坩埚中生长出了直径达25mm、长度超过50mm的完整透明YCOB晶体.介绍了生长工艺和原料制备,观察发现晶体中的主要宏观缺陷是包裹体.分析了包裹体生成的原因.

CVD方法生长平面和曲面块状多晶硫化锌

王和明;蔡以超;杨曜源;东燕萍;王永杰;闫泽武

2000, 29(1):  30-33. 

摘要 ( 34 )   PDF (169KB) ( 37 )  

相关文章 | 计量指标

采用化学气相沉积方法成功地生长出硫化锌多晶红外光学材料.加工后的成品多晶硫化锌尺寸为直径150mm,厚度为6mm;既有曲面的整流罩,又有平面窗口,蒸镀多层防反膜.由于采用了自制的活性硫化氢为原料,以及较好的工艺生长条件,生长的硫化锌红外光学材料长波透射比达到理论值75;.镀多层防反膜以后,中、长红外波段透过率均有所提高,但镀膜技术还有待改进.文中对硫化锌的透过曲线进行了分析与比较,结果表明我们生长的硫化锌杂质较少,是红外透过率高的原因.文中还测试了硫化锌的其它主要性能.

正钒酸钙晶体的生长及退火的研究

赵志伟;姜彦岛

2000, 29(1):  34-37. 

摘要 ( 30 )   PDF (173KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

本文报道了Ca3(VO4)2晶体的生长,指出了由于局部区域温度过高引起原料分解产生气泡,光加热浮动熔区法不适合于生长这种晶体.采用了Czochralski法在合适的温场、提拉速度为3mm/h、转速10～20r/min等工艺条件下成功地长出了φ24×38mm的晶体.通过适当的温度梯度和退火条件解决了晶体生长和加工过程中的炸裂问题.

用于滤波器的圆柱形硫酸镍晶体的定向生长

苏根博;贺友平;李征东;江日洪;朱长武

2000, 29(1):  38-41. 

摘要 ( 28 )   PDF (196KB) ( 26 )  

相关文章 | 计量指标

为了提高硫酸镍晶体的生长效率和晶体制做滤波器元件的效率,我们发现一种生长圆柱形硫酸镍晶体α-NSH(α-NiSO4.6H2O)的新方法.用溶液降温法生长出直径30～40mm,长40mm的圆柱形大单晶,晶体(001)方向的生长速度控制在1～1.5mm/d.该法生长的圆柱形晶体在紫外波段有优良的光学性能,定向生长与一般的传统方法相比较,除了提高晶体生长效率6倍外,在制做滤光器元件的效率、时间和成本都有显著的优点.

坩埚下降法生长白宝石晶体的研究

邹蒙;范志达;李楠;徐川;黄朝恩

2000, 29(1):  42-44. 

摘要 ( 49 )   PDF (156KB) ( 43 )  

相关文章 | 计量指标

本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶.我们使用大尺寸异型钼坩埚,高纯氧化铝原料,在中性气氛下,结晶区温度梯度为25～30℃/cm,生长速度为0.8～1.8mm/h,生长方向选C面[0001]取向,成功生长出直径80mm,高度90mm的完整透明的白宝石单晶,在300～5500nm范围内,其光学透过率均在80;以上.实验中采用高性能保温材料使生长过程所需加热功率由20kW下降到15kW,能耗降低达25;;采用双回路加热系统,提高温场稳定性,缩短晶体生长周期.晶体的主要缺陷为顶部(生长后期)出现有5～10mm淡黄色色带(经在氧化性气氛中退火后已消除)和底部有细丝状条纹.

改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响

王跃;李全保;韩庆林;马庆华;宋炳文;介万奇;周尧和

2000, 29(1):  45-50. 

摘要 ( 22 )   PDF (266KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.

锗对CZ Si中新施主的影响

张维连;孙军生;檀柏梅;张恩怀;张颖怀

2000, 29(1):  51-53. 

摘要 ( 19 )   PDF (131KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.

MPCVD法纳米金刚石膜的制备及分析

杨武保;吕反修;唐伟忠;佟玉梅;于文秀

2000, 29(1):  54-58. 

摘要 ( 34 )   PDF (243KB) ( 37 )  

相关文章 | 计量指标

利用MPCVD方法在玻璃基片上成功的制备了非常光滑、致密均匀的纳米金刚石膜.沉积工艺分为两步:成核,CH4/H2=3;;生长,O2/CH4/H2=0.3:3:100;沉积过程中保持工作压力为4.0kPa,衬底温度500℃.拉曼、透射电镜、红外光谱、表面轮廓仪等的测试表明:膜层由纳米级金刚石晶粒组成,最大晶粒尺寸小于100nm,成核密度大于1011/cm2.成核面晶粒的点阵常数较大,表明存在较多缺陷,表面粗糙度小于2nm,在可见光区完全透明,红外光学性能接近金刚石单晶理论值.

Cr:Nd:YCa4O(BO3)3光谱参数的计算

郭明;魏景谦;田丽莉;宫波;夏海瑞;胡晓波;刘耀岗;王继扬

2000, 29(1):  59-63. 

摘要 ( 18 )   PDF (231KB) ( 23 )  

相关文章 | 计量指标

采用Czochralski法生长了透明均匀的Cr:Nd:YCaO(BO3)3晶体,生长的晶体尺寸为φ42.5×50mm,生长参数为提拉速度为0.6mm/h,转速为25r/min.测定了其室温吸收谱.根据Judd-Ofelt理论拟合了Nd3+离子的强度参数Ωλ:Ω2=0.734×10-20,Ω4=6.814×10-20,Ω6=2.476×10-20;并计算了各能级跃迁的自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比.其中4F3/2能级的寿命τtot=271.64μs,4F3/2→4I9/2的荧光分支比βc=58.01;.并对实验结果进行了讨论.

高温相偏硼酸钡α-BaB2O4晶体的结晶习性

周国清;徐军;徐科;邓佩珍;干福熹

2000, 29(1):  64-68. 

摘要 ( 26 )   PDF (255KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

采用Cz法生长了高温相偏硼酸钡α-BaB2O4晶体,尺寸为φ50mm×40mm,晶体无色透明,在He-Ne激光照射下无散射颗粒,无生长条纹.在生长过程中,α-BaB2O4晶体存在强烈的晶面显露特性,主要与晶体所属点群R-3c有密切关系,本文采用周期键链PBC理论分析了α-BaB2O4晶体的结晶习性.在实验上根据晶面夹角的关系,结合X射线劳埃衍射照相的方法标定了晶体的显露面指数,两者很好地吻合.α-BaB2O4晶体主要存在了3组显露面即三方锥面S{1-102}、六方柱面P{11-20}和菱面体T{21-34},且显露顺序为S＞P＞T,三方锥面S与六方柱面P的晶棱方向为[-1101],三方锥面S与菱面体T面的晶棱方向为[-4223],在晶体放肩部位处有对称分布的6条晶棱,分别对应于两组晶向[10k1i],[11k2i],i=1,2,3在一般情况下,k1i≠12i.

Cr:KTiOPO4晶体缺陷的研究

胡秀琴;官文栎;牟其善;刘希玲;马长勤;王绪宁

2000, 29(1):  69-72. 

摘要 ( 27 )   PDF (187KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果.光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界.用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌图,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线.由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等.

人工晶体网www.risc.ac.cn开通

<人工晶体学报>杂志社

2000, 29(1):  72. 

摘要 ( 18 )  

相关文章 | 计量指标

激光晶体Nd:KGW晶体的表面缺陷观察

洪元佳;李建立;刘景和;李卫青;王唯;邢洪言;洪广言;郭俊

2000, 29(1):  73-77. 

摘要 ( 22 )   PDF (222KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

本文采用助熔剂籽晶提拉法生长出了Nd:KGW激光晶体.利用光学显微镜对晶体表面进行观察、并拍摄到晶体裂缝、生长丘、生长条纹和包裹物等缺陷的照片.分析其原因,是由于晶体生长工艺的不稳定,尤其是晶体生长过程中的温度梯度不够合适、提拉速度过快、降温速率偏快等所致.并由于生长体系粘度较大,容易形成包裹,晶体包裹物经XRD分析认为其中主要是熔体.

下降法生长的GdCOB晶体中的包裹物

钟真武;罗军;范世(马豈)

2000, 29(1):  78-82. 

摘要 ( 15 )   PDF (257KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

本文通过对GdCOB晶体进行了光学显微观察;结合电子探针微区分析手段,讨论了Bridgman法生长所得GdCOB晶体中几类不同性质的包裹物.这些包裹物主要为富钙的固相包裹物,组分过冷形成的熔体包裹,以及气泡包裹.并分析了它们的组成和成因.

β-BaB2O4纳米粉体的制备

位民

2000, 29(1):  83-86. 

摘要 ( 15 )   PDF (183KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

报道了采用溶胶一凝胶法合成β-BaB2O4纳米粉的方法.该法的特点是反应体系中添加一种表面改性剂HYPO,改变了颗粒的表面状态,防止了氧桥键的形成,从而避免了颗粒的硬团聚.产物经500℃烧结后,β-BaB2O4粉体的平均粒径为70nm,颗粒分布均匀.本文同时对该工艺中引起粉体硬团聚的各个因素作了初步的探讨.

铌酸钾(KNbO3)晶体860nm和430nm倍频膜的研制

雷亚民;杨学明

2000, 29(1):  87-89. 

摘要 ( 21 )   PDF (113KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

铌酸钾晶体(简称KN)是非常重要的非线性光学晶体之一.通过镀膜,可以增加输出能量,提高倍频转换效率,使激光器的性能明显提高.本文着重研究了非线性光学晶体KNbO3在860nm及430nm处倍频膜的膜系设计.试验结果显示,在860nm及430nm处的透过率分别增加了19.4个百分点和14.3个百分点.

炸药爆轰合成纳米金刚石及其应用

陈权;恽寿榕

2000, 29(1):  90-93. 

摘要 ( 20 )   PDF (182KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

本文简介通过高能炸药合成球形纳米金刚石的一些研究进展.X射线衍射谱显示,得到的纳米金刚石微晶为立方结构金刚石;晶粒尺寸为4～6nm,并有很大的微应力.高分辨率透射电镜观察表明,金刚石微晶在形成过程中经历了液态碳微滴聚结长大的过程.在这种材料的应用方面,本文报道了纳米金刚石用于提高化学气相生长金刚石薄膜的成核率:其出色的场发射性能用于电子显示材料,以及用于耐磨、减摩材料的若干试验成果.