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人工晶体学报 ›› 2000, Vol. 29 ›› Issue (4): 381-385.
任丙彦;刘彩池;张志成;郝秋艳
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RSS出版日期:2000-04-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:REN Bing-yan;LIU Cai-chi;ZHANG Zhi-cheng;HAO Qiu-yan
Online:2000-04-15
Published:2021-01-20
摘要： 为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入,对常规的406mm(16英寸)热场进行了改造.设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统,使晶体生长过程中熔体热对流减小.通过对热场的数值模拟计算,分析了热场的温度分布,发现熔体的纵向温度梯度下降,熔体热对流减小,硅单晶中氧含量降低.
中图分类号:
任丙彦;刘彩池;张志成;郝秋艳. 大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(4): 381-385.
REN Bing-yan;LIU Cai-chi;ZHANG Zhi-cheng;HAO Qiu-yan. Improvement and Numeric Simulation for Heat Zone in Large-diameter Si Single Crystals Furnace[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2000, 29(4): 381-385.
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