YVO4晶体缺陷分析

人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (1): 14-17.

YVO4晶体缺陷分析

邹宇琦;李新军;徐军;干福熹;田玉莲;黄万霞

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;上海大学,上海201800;中国科学院北京高能物理研究所国家同步辐射实验室,北京,100039

出版日期:2002-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60047003)

Study on Defects of YVO4 Crystal

Online:2002-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.

中图分类号:

O774

邹宇琦;李新军;徐军;干福熹;田玉莲;黄万霞. YVO4晶体缺陷分析[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(1): 14-17.

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YVO4晶体缺陷分析

Study on Defects of YVO4 Crystal

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