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2002年 第31卷 第1期
刊出日期：2002-02-15

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BaBPO5晶体的生长研究

潘世烈;吴以成;傅佩珍;王国富;张国春;李志华;刘红军;陈创天

2002, 31(1):  1-4. 

摘要 ( 37 )   PDF (139KB) ( 43 )  

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本文采用顶部籽晶高温溶液法,以BPO4-NaF为助熔剂,生长了BaBPO5单晶.生长参数:液面以下温度梯度为1.5℃/cm,液面上温度梯度为10℃/cm,晶体旋转速度30r/min,降温速率0.5-1℃/d,可获得尺寸为30mm×20mm×15mm的BaBPO5单晶.测定了所获单晶及其挥发物的X射线粉末衍射图谱,讨论了助熔剂对BaBPO5晶体生长的影响和该晶体的物化性能.

铌酸钾锂晶体的生长和缺陷

万尤宝;吴宇容;陈静;褚君浩;郭少龄;李晶

2002, 31(1):  5-9. 

摘要 ( 27 )   PDF (186KB) ( 35 )  

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用电阻加热提拉法生长了一系列较大尺寸,组分离子均匀性较好的铌酸钾锂晶体.利用X射线荧光光谱法测量了不同配比的熔体中生长出的晶体组成,用同步辐射X射线测量了晶体结构,结果表明随晶体组成变化,晶体的晶格常数发生了变化.根据晶体组分离子浓度与折射率的关系研究了晶体折射率变化情况,结果表明用本方法生长的大尺寸KLN晶体,寻常折射率no在测量误差范围内没有变化,非寻常折射率ne的变化率在820nm仅为1.22×10-4/mm,在410nm仅为1.93×10-4/mm.晶体的干涉条纹证明了晶体有良好的光学均匀性.结合晶体生长实验,探讨了改进晶体组分离子浓度分布均匀性的方法,结果表明采用籽晶和坩锅向相同方向旋转可以改善晶体生长界面处组分离子浓度的波动,提高晶体组分离子均匀性.晶体的缺陷研究表明晶体结构完整性较好,位错形状与晶体结构相一致,密度为7.5×104,[001]轴是晶体的极化轴.晶体对890～960nm波长范围的cw-Ti:sapphire激光倍频结果表明晶体有良好的倍频性能.

KTi1-xSnxOPO4晶体生长及其物理性质的研究

刘文;V.I.Voronkova;V.K.Yanovskii;S.Yu.Stefanovich

2002, 31(1):  10-13. 

摘要 ( 22 )   PDF (162KB) ( 20 )  

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采用熔盐法生长了一系列磷酸氧钛锡钾单晶体并测定了其晶体结构和相应的物理性质.发现在该类型晶体中随着四价阳离子Sn对Ti的掺杂替代导致晶胞参数增大,铁电相变温度降低和非线性光学特性减弱.同时发现在居里温度附近,一些晶体出现类似快离子导体特性的电导率跃迁.

YVO4晶体缺陷分析

邹宇琦;李新军;徐军;干福熹;田玉莲;黄万霞

2002, 31(1):  14-17. 

摘要 ( 31 )   PDF (154KB) ( 42 )  

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运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.

彩色刚玉多单晶体的梯形水热生长

陈振强;曾骥良;张昌龙;霍汉得;周卫宁;沈鸿元

2002, 31(1):  18-21. 

摘要 ( 30 )   PDF (143KB) ( 42 )  

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使用一种新型的黄金梯形籽晶架悬挂多个籽晶片,在新设计的大型高压釜中使用氧化-还原缓冲技术和不同的致色离子或致色离子对缓慢释放技术生长出了多种颜色的厚板状刚玉类宝石晶体,通过常规宝石学检测晶体质量和天然品类似.

用化学气相沉积法制备红外体块晶体ZnS

闫泽武;王和明;蔡以超;杨耀源;东艳苹;方珍意;李楠;孙振宇;李洪生

2002, 31(1):  22-25. 

摘要 ( 34 )   PDF (121KB) ( 35 )  

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本文报道了采用化学气相沉积法制备红外ZnS体块晶体的工艺及其性能.并用傅立叶红外光谱仪测试了材料的红外性能,研究了晶体缺陷对材料红外透过率的影响.结果表明:通过优化生长工艺,使反应室的压力在500～1000Pa之间变化,沉积温度控制在550～650℃之间,可以制备出厚度均匀,红外透过率(3-5μm和8～12μm)在70;以上,尺寸达250mm×250mm×15mm高质量的ZnS体块晶体.

PbWO4晶体吸收中心的研究

姚明珍;顾牡;梁玲;段勇;马晓辉

2002, 31(1):  26-30. 

摘要 ( 18 )   PDF (166KB) ( 22 )  

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采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4晶体中与吸收中心相关的本征缺陷态密度分布,并运用过渡态方法计算了激发能.结果表明:PbWO4晶体中WO3+Vo缺陷的O2pW5d跃迁可以引起350nm和420nm附近的吸收,并且发现VPb的存在可以使WO2-4基团的禁带宽度明显变小.

玻璃微孔内ZnO的制备及表征

张海明;王之健;张力功;元金山;阎圣刚

2002, 31(1):  31-33. 

摘要 ( 21 )   PDF (114KB) ( 20 )  

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ZnO是一种重要的紫外半导体光电器件材料.本文用金属有机化合物在玻璃管内高温加热分解迅速拉制的方法,在直径为169μm的玻璃丝内成功的制备了直径为13μm左右的ZnO.并用X射线衍射和PL谱研究了玻璃微丝内的ZnO.结果发现ZnO为多晶且具有六方形结构,峰值波长在370nm的PL谱表明所制得的ZnO为体材料.

Ca2+离子对Y3+∶PbWO4晶体辐照硬度的影响

张昕;廖晶莹;沈炳孚;邵培发;李长泉;殷之文

2002, 31(1):  34-40. 

摘要 ( 18 )   PDF (223KB) ( 29 )  

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与其它三价稀土离子(La3+、Lu3+等)掺杂相比较,Y3+的掺杂表现出特殊的低剂量辐照行为:光产额辐照后升高,同时伴随着晶体在380nm～500nm波段透过率的变化,并且辐照硬度对退火温度较敏感.以往认为光输出升高的幅度是晶体顶端大于晶体晶种端,因此推测该现象与晶体中有效分凝系数小于1的Na+、K+和Si4+等杂质有关.本文对全尺寸晶体的顶端、中段和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端和晶体顶端;在一定条件下辐照后光产额升高的幅度是晶体晶种端大于晶体顶端,结合我们铅空位补偿型掺杂剂的实验结果,初步推断这可能是由于Ca2+离子含量较高而引起Y3+离子电荷补偿方式的改变.

高分辨X射线衍射术对NdP5O14晶体的自发应变及铁弹畴结构的研究

高磊;董春明;胡小波;王继场

2002, 31(1):  41-44. 

摘要 ( 25 )   PDF (153KB) ( 22 )  

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利用助溶剂法,已经生长出15mm×25mm×60mm的大尺寸NdP5O14(NPP)晶体.用高分辨X射线衍射术对自发应变及铁弹畴结构进行了研究.对几个不同的反射,可在其摇摆曲线上观测到由基体畴和铁弹畴之间的取向差导致的反射峰的分离.通过反射峰分离的特点,可以确定铁弹畴结构.NPP晶体中大多数铁弹畴为a型畴,b型畴只出现在严重形变的区域. 基于NdP5O14晶体畴结构,我们分别计算了802,402和204反射的峰分离量.实验测量结果符合计算结果.另外,通过测量基体畴和铁弹畴的800反射的峰分离量我们确定了NdP5O14的自发应变是0.0082.通过结构和对称性分析,我们对这种晶体的畴结构进行了详细讨论.

组分挥发对CBO晶体生长影响研究

徐子颉;吴以成;傅佩珍;陈创天

2002, 31(1):  45-48. 

摘要 ( 24 )   PDF (133KB) ( 36 )  

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非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.

LaxFe3CoSb12多晶材料的制备和拉曼光谱测定

李丽霞;刘宏;王继扬;胡晓波;魏景谦;徐丽;李志峰

2002, 31(1):  49-53. 

摘要 ( 14 )   PDF (165KB) ( 54 )  

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用熔融退火法制备了镧填充方钴矿(LaxFe3CoSb12)多晶热电材料.用背散射方法测定了不同掺镧量晶体的拉曼光谱.我们认为晶格孔隙中镧原子的振颤运动产生了有效的声子散射并使拉曼谱线加宽.随着镧含量的增加,镧原子振颤自由度降低,谱线的加宽程度减少.

Ce:YAP晶体生长和光谱性质

章连文;朱世富;王永国;杨浔;李玉明;徐学珍;桂尤喜

2002, 31(1):  54-57. 

摘要 ( 25 )   PDF (166KB) ( 37 )  

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本文报道了用中频感应加热提拉法生长Ce:YAP晶体,晶体尺寸为35mm×80mm.在部分晶体中观察到了开裂、解理、孪晶、云层、核心和生长层等宏观缺陷,分析了缺陷与晶体生长温度梯度等因素的关系,对晶体样品进行了吸收光谱和荧光光谱分析.

掺杂YIG单晶普适晶格常数经验公式

龙兴武;黄云;金世龙;张斌

2002, 31(1):  58-62. 

摘要 ( 40 )   PDF (195KB) ( 28 )  

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利用晶场和3种次晶格之间的相互作用,提出了计算掺杂YIG单晶普适晶格常数的经验公式,进行了精度较高的拟合并且给出了与测量值吻合较好的结果.

γ辐射及退火MgAl2O4透明陶瓷光谱特性研究

何捷;林理彬;卢勇;邹萍

2002, 31(1):  63-66. 

摘要 ( 34 )   PDF (150KB) ( 29 )  

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本文用不同剂量的γ射线辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,UV-VIS和FI-IR测试表明,辐照前3360cm-1处有吸收峰,它是由V-1OH心吸收引起的.经γ辐射,样品在370nm处产生吸收带,它是由辐照产生的V型色心吸收引起的.通过退火可以使V型色心吸收带消除.结果表明:较低剂量的γ辐照能降低陶瓷紫外到红外的透过率;大剂量的γ辐照能在陶瓷中产生退火效应,能增加陶瓷红外透过率.

铌酸锂晶体最佳掺杂含量的理论计算

范志新;刘新福

2002, 31(1):  67-70. 

摘要 ( 31 )   PDF (108KB) ( 34 )  

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本文把一个从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到铌酸锂晶体材料.该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式.系统地分析了铌酸锂晶体材料的掺杂改性的实验结果,应用掺杂最佳含量表达式定量计算了铌酸锂晶体材料的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据是比较接近的.该理论方法也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算.

CaWO4晶体振动谱的理论分析

郭连权

2002, 31(1):  71-74. 

摘要 ( 29 )   PDF (138KB) ( 25 )  

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本文借助商群方法对CaWO4晶体的振动谱进行了理论分析,明确地指出了红外吸收光谱(IR)和喇曼散射光谱(R)的激活结果.利用总散射截面和喇曼张量,对如何测量该晶体的谱线问题,在几何配置方面做了深入的讨论.

人造金刚石金属包膜研究进展

许斌;李木森;宫建红;尹龙卫;崔建军;程开甲

2002, 31(1):  75-79. 

摘要 ( 31 )   PDF (156KB) ( 27 )  

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对高温高压下合成金刚石形成的金属包膜的深入研究具有重要意义,有可能是揭示金刚石合成机理的