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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (1): 45-48.

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组分挥发对CBO晶体生长影响研究

徐子颉;吴以成;傅佩珍;陈创天   

  1. 中国科学技术大学化学系,合肥,230026;中国科学院北京人工晶体研究发展中心,北京,100080
  • 出版日期:2002-02-15 发布日期:2021-01-20

Study on the Influence of Volatility on the Growth of CBO Crystal

  • Online:2002-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.

关键词: 非线性光学晶体;CsB3O5;挥发;XRD

中图分类号: