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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (2): 85-89.

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高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究

李涛;赵广军;何晓明;徐军;潘守夔;徐月泉   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;上海中科嘉浦光电子材料有限公司,上海,201821
  • 出版日期:2002-04-15 发布日期:2021-01-20

Czochralski Growth of High-temperature Scintillator Crystal Ce∶YAP

  • Online:2002-04-15 Published:2021-01-20

摘要: Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论.X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm、366nm处有两个吸收峰.

关键词: Ce∶YAP;闪烁晶体;提拉法晶体生长;X射线激发发射谱;吸收谱

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