人工晶体学报

王国富;吴以成;傅佩珍;倪征;陈创天

2002, 31(2): 81-84.

摘要 ( 14 )

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采用固相反应在820～1050℃合成了MgxZn3-xBPO7多晶样品,在x＝1.8时用自发成核法获得了单晶.所有样品具有相似的X射线粉末衍射花样和红外光谱,表明它们具有相同的结构,形成了固溶体.对红外光谱进行了解析,结果表明固溶体的晶体结构中存在BO3和PO4基团.由反射光谱得知,随着Mg逐步取代Zn,固溶体在紫外区的吸收逐渐减弱.固溶体系列的粉末倍频效应约是KDP(KH2PO4)的0.7倍.

高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究

李涛;赵广军;何晓明;徐军;潘守夔;徐月泉

2002, 31(2): 85-89.

摘要 ( 29 )

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Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论.X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm、366nm处有两个吸收峰.

水热法合成α-Al2O3晶体

韦志仁;董国义;李志强;张华伟;王立明;佟鑫刚

2002, 31(2): 90-93.

摘要 ( 22 )

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本文研究了不同矿化剂,不同温度对水热条件下合成α-Al2O3晶体的大小、形貌和晶体质量的影响.发现在矿化剂浓度为0.1M KOH和1M KBr条件下,填充度为35;,温度为380℃时Al(OH)3只转化成薄水铝石,无α-Al2O3晶体生成;388℃时只是部分转化成α-Al2O3;在395℃以上时完全能转化成α-Al2O3,晶体形状为六棱柱形.在矿化剂浓度为1M KOH时,填充度35;,温度为380℃时,即有部分Al(OH)3转化成α-Al2O3,390℃以上完全转化成α-Al2O3,晶面主要显露菱面.

祖母绿晶体水热生长习性研究

陈振强;曾骥良;仲维卓;沈鸿元

2002, 31(2): 94-98.

摘要 ( 19 )

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本文研究了在水热条件下祖母绿晶体的生长习性,指出了祖母绿晶面的发育顺序,并用负离子配位多面体生长基元理论进行了解释,根据对晶体的不同用途结合晶体生长习性采用不同的籽晶切型,生长出了符合特殊形态要求的祖母绿晶体.

KDP晶体激光损伤阈值研究的新进展

刁立臣;张克从;常新安

2002, 31(2): 99-103.

摘要 ( 35 )

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本文回顾了近10年来KDP晶体激光损伤阈值的研究进展,介绍了金属离子、瞬态双光子吸收对KDP晶体激光损伤阈值的影响,简述了金属离子和瞬态双光子吸收引起光热信号增强的关系,初步探讨了KDP晶体激光诱导损伤的机理,并对今后的发展方向提出了见解.

新型非线性晶体CLBO的缺陷研究

张秀荣;张顺兴;柴耀

2002, 31(2): 104-106.

摘要 ( 21 )

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本文对新型非线性晶体CLBO的生长缺陷进行了分析研究.通过改进原料纯度,配料方法及生长工艺参数,消除了晶体中的缺陷,CLBO晶体的光学质量明显地得到改善.大大地提高了倍频转换效率.

二维铁电开关的Orihara-Ishibashi理论的精确解

周青春;徐荣青;王茂祥

2002, 31(2): 107-110.

摘要 ( 18 )

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将Orihara-Ishibashi铁电体统计理论用于二维正方形铁电薄膜,求出正方形铁电畴反转过程的体积比Q(t)和反转速率dQ/dt的解析表达式,并作了数值计算.结果表明,最大开关电流随系统尺寸l增大而上升,开关时间在系统尺寸l＜0.95时随l减小而下降,l＞0.95时随l减小略有上升.

用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究

闫泽武;王和明;蔡以超;杨耀源;东艳苹;范志达

2002, 31(2): 111-113.

摘要 ( 30 )

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本文报道了用化学气相沉积(CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌(ZnS)的制备工艺,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响.XRD,XEM及IR表明,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn-H键的形成,使生长的CVD ZnS具有高的红外透过率,提高了材料的光学品质.

高温相偏硼酸钡(α-BaB2O4)晶体的缺陷行为分析

李新军;邹宇琦;陈杏达;徐军;杨秋红;田玉莲;黄万霞

2002, 31(2): 114-116.

摘要 ( 20 )

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运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性,并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因.在(001)面发现生长扇界和亚晶界,而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体.使用双晶衍射实验发现在(001)面有生长条纹,这些生长条纹呈环形,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关.运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑,表明晶体为三方结构.

β′-Gd2(MoO4)3晶体生长中的过冷现象研究

袁清习;李红军;庄漪;徐军;潘守夔

2002, 31(2): 117-120.

摘要 ( 15 )

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对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β′-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况.研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发、Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关,并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体.

高温超导薄膜衬底材料LaAlO3单晶的超光滑表面抛光研究

张连翰;孙敦陆;钱小波;杭寅

2002, 31(2): 121-123.

摘要 ( 22 )

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本文以化学机械抛光为手段,以原子力显微镜(AFM)为工具,对高温超导薄膜衬底材料LaAlO3单晶的超光滑表面抛光进行研究.既观察到了由传统光学表面向超光滑表面过渡的过程,又观察到了超光滑表面加工的结果-表面的本征化.显示了超光滑表面抛光对外延衬底表面的重要性.

高质量非线性光学晶体三硼酸锂(LBO)的熔盐生长

郝志武;马晓梅

2002, 31(2): 124-126.

摘要 ( 27 )

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利用助熔剂法,采用顶部籽晶生长技术,氧化硼为助熔剂,KF为添加剂,成功地生长出激光照射下无散射颗粒的非线性光学晶体三硼酸锂(LBO),同时,对本实验中常见的工艺问题:籽晶炸裂、原料外溢、坩埚膨胀等进行了报道,并针对上述问题,提出了合理的解决方案.

胶体系统在光波段三维光带隙材料制备方面的研究进展

张辉;李文超;唐清

2002, 31(2): 127-134.

摘要 ( 21 )

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本文介绍了胶体化学法在三维光子晶体制备方面的研究进展及光子晶体改性研究的发展现状.

下降法生长Bi4Ge3O12大尺寸单晶中散射芯的形成和消除

肖海斌;胡关钦;王绍华;徐力

2002, 31(2): 135-139.

摘要 ( 28 )

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本文报道了以Bi2O3和GeO2粉末为原料,采用改进的Bridgman法生长的大尺寸单晶中的散射芯现象.借助于显微镜和电子探针对散射芯进行了研究,发现散射芯主要是由铂金微颗粒组成.分析了散射芯产生的原因,并提出了消除这种宏观缺陷的一些方法.

用聚甲基丙烯酸制备MS(M=Zn,Cd)半导体纳米粉末的研究

王之建;张海明;张力功;李玉琴;元金山

2002, 31(2): 140-143.

摘要 ( 20 )

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本文介绍一种适合制备MS(M=Zn,Cd)半导体纳米粉末的化学合成方法.此方法成本低,易操作,且具有一定的广泛性.本合成通过调节聚合链长和反应循环次数可在1.8nm到5nm范围内对纳米粒径进行很好的控制.透射电镜和X射线粉末衍射对所制得的纳米粉末进行了表征.

大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

郎荣福;荣剑英;赵秀平;李将录;赵洪安

2002, 31(2): 144-147.

摘要 ( 15 )

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采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.

新型磷酸钒孔道结构化合物(H3NCH2CH2NH3)3[(VO)4(PO4)2(HPO4)4]的表征及热性能研究

杨赞中;廖立兵;杜洪兵

2002, 31(2): 148-152.

摘要 ( 32 )

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利用五氧化二钒、磷酸作前驱物,乙二胺作模板,水热法合成了新型孔道结构磷酸盐化合物(H3NCH2CH2NH3)3[(VO)4(PO4)2(HPO4)4].借助红外光谱(FT-IR)、热分析(TG-DTA)、粉晶X 射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)等手段,对该化合物晶体在受热条件下的孔容脱除、结构变化及热相变特征等进行了系统研究.从晶体化学角度对其成分、结构及热稳定性之间的关系进行了探讨.指出应通过优化模板、元素替代等方法减弱模板分子与无机骨架间的键联强度及改善基本结构骨架的牢固性,进一步提高其热稳定性.

C60膜上金刚石的成核与生长形貌研究

刘波;王豪;阮昊;干福熹

2002, 31(2): 153-157.

摘要 ( 16 )

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本文研究了HFCVD系统中覆盖有C60膜的Si(100)衬底上金刚石的成核与形貌特征.结果表明,C60能大幅度提高金刚石成核密度;C60氢化预处理能大幅度促进金刚石成核,但要合理控制CH4的浓度和预处理时间;随衬底温度的升高,金刚石晶粒由球状变为菜花状聚晶.

纳米金刚石膜——一种新的具有广阔应用前景的CVD金刚石

韩毅松;玄真武;刘尔凯;侯立

2002, 31(2): 158-163.

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以氢气为主要反应气体生长的CVD金刚石膜的晶粒尺寸过大限制了它在某些领域的进一步应用.当晶粒组成降到纳米级时,金刚石膜会表现出许多优异的性能,具有广阔的应用前景.与通常的CVD法生长金刚石的工艺不同,氩气在纳米金刚石的生长过程中发挥着重要作用.纳米金刚石的鉴定和评价是纳米金刚石研究中的重要部分.

碳纳米管的物性与应用

郭连权

2002, 31(2): 164-168.

摘要 ( 25 )

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本文在概括碳纳米管的制备及结构的基础上,着重对其物理性质做出了阐述,并对它的应用前景进行了介绍.

用粉状技术合成高品级金刚石的研究

朱凤福;宁磊;张铁喜;王宗烈;胡本权

2002, 31(2): 169-172.

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本文比较系统地介绍了合成高级金刚石的一种新方法.研究中采用粉状触媒和粉状石墨作为原料,在超高压、高温的条件下,经一定的工艺流程合成了高品级粗、细粒度金刚石,其各项技术指标达到了国内领先水平.用该方法合成金刚石的突出特点是粒级可控、粒度集中、单产高、连聚晶少、颜色黄、强度高.

铌酸锂晶体的发展简况

王忠敏

2002, 31(2): 173-175.

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铌酸锂(LN)晶体由于本身优越的特性得到极其广泛的应用,本文介绍了LN晶体在生长、应用和在光通信方面最新进展以及LN晶体的市场前景.

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