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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (2): 117-120.

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β′-Gd2(MoO4)3晶体生长中的过冷现象研究

袁清习;李红军;庄漪;徐军;潘守夔   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;南京大学固体微结构物理国家实验室,南京,210008
  • 出版日期:2002-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(69878030)

Study On Supercooling during the Growth of β′-Gd2(MoO4)3 Crystal

  • Online:2002-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β′-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况.研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发、Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关,并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体.

关键词: 电阻加热引上法;感应加热引上法;熔体过冷;组分过冷

中图分类号: